KU045N10P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KU045N10P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 240 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1000 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0039 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de KU045N10P MOSFET
KU045N10P Datasheet (PDF)
ku045n10p.pdf

KU045N10PSEMICONDUCTORN-ch Trench MOS FETTECHNICAL DATAGeneral Description This Trench MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentavalanche characteristics. It is mainly suitable for DC/DC Converter,Synchronous Rectification and a load switch in battery poweredapplicationsFEATURES KVDSS= 100V, ID= 150A
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History: IRFL9014PBF | IPN80R750P7 | IPN60R3K4CE | AOD3N40 | STP10N80K5 | STP270N04
History: IRFL9014PBF | IPN80R750P7 | IPN60R3K4CE | AOD3N40 | STP10N80K5 | STP270N04



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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