KU045N10P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KU045N10P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 240 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1000 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0039 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de KU045N10P MOSFET
KU045N10P Datasheet (PDF)
ku045n10p.pdf

KU045N10PSEMICONDUCTORN-ch Trench MOS FETTECHNICAL DATAGeneral Description This Trench MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentavalanche characteristics. It is mainly suitable for DC/DC Converter,Synchronous Rectification and a load switch in battery poweredapplicationsFEATURES KVDSS= 100V, ID= 150A
Otros transistores... KMB012N30QA , KMB035N40DC , KMB054N40DC , KMB054N40IA , KMB6D0DN35QB , KML0D4N20TV , KU024N06P , KU034N08P , 7N60 , KU048N03D , KU054N03D , KU056N03Q , KU063N03Q , KU068N03D , KU082N03Q , KU2303D , KU2303K .
History: NVD5890NL | SMK830P | BUK436-800A | HYG067N07NQ1B | BUK445-100A
History: NVD5890NL | SMK830P | BUK436-800A | HYG067N07NQ1B | BUK445-100A



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP50N20MP | AP50N10P | AP50N10D | AP50N06NF | AP50N06D | AP50N05D | AP50N04D | AP50N03DF | AP50N03D | AP50N03AD | AP50H06NF | AP50G03GD | AP4P05MI | AP4N15MI | AP4N10MI | AP2320MI
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