KU045N10P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KU045N10P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 240 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для KU045N10P
KU045N10P Datasheet (PDF)
ku045n10p.pdf

KU045N10PSEMICONDUCTORN-ch Trench MOS FETTECHNICAL DATAGeneral Description This Trench MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentavalanche characteristics. It is mainly suitable for DC/DC Converter,Synchronous Rectification and a load switch in battery poweredapplicationsFEATURES KVDSS= 100V, ID= 150A
Другие MOSFET... KMB012N30QA , KMB035N40DC , KMB054N40DC , KMB054N40IA , KMB6D0DN35QB , KML0D4N20TV , KU024N06P , KU034N08P , 7N60 , KU048N03D , KU054N03D , KU056N03Q , KU063N03Q , KU068N03D , KU082N03Q , KU2303D , KU2303K .
History: NVD5890NL | BUK436-800A | SMK830P | BUK445-100A | HYG067N07NQ1B
History: NVD5890NL | BUK436-800A | SMK830P | BUK445-100A | HYG067N07NQ1B



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP50N20MP | AP50N10P | AP50N10D | AP50N06NF | AP50N06D | AP50N05D | AP50N04D | AP50N03DF | AP50N03D | AP50N03AD | AP50H06NF | AP50G03GD | AP4P05MI | AP4N15MI | AP4N10MI | AP2320MI
Popular searches
2n3054 transistor equivalent | 2n554 | 2sa1011 | 2sa1283 | 2sb646 | 2sc1885 datasheet | 2sc2580 | 2sc710