KU056N03Q Todos los transistores

 

KU056N03Q MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KU056N03Q

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0047 Ohm

Encapsulados: FLP8

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KU056N03Q datasheet

 ..1. Size:803K  kec
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KU056N03Q

SEMICONDUCTOR KU056N03Q TECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFET GENERAL DESCRIPTION This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristiscs. It is mainly H suitable for DC/DC Converter and Battery pack. T D P G L U FEATURES A VDSS=30V, ID=17A. DIM MILLIMETERS Drain to Source On Resistan

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History: STD3NK60Z-1 | WML08N60C4 | STD40NF10 | IRF7473TRPBF | AO8803 | 2SK4080-ZK-E2-AY | STF15N60M2-EP

 

 

 

 

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