KU056N03Q Todos los transistores

 

KU056N03Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KU056N03Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0047 Ohm
   Paquete / Cubierta: FLP8
 

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KU056N03Q Datasheet (PDF)

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KU056N03Q

SEMICONDUCTOR KU056N03QTECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFETGENERAL DESCRIPTIONThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, lowon resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristiscs. It is mainlyHsuitable for DC/DC Converter and Battery pack.TD P GLUFEATURES AVDSS=30V, ID=17A.DIM MILLIMETERSDrain to Source On Resistan

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History: IXTQ22N60P | NTMFS4854NS | SWF10N65K | RFG40N10LE | IXTQ22N50P | IXTQ240N055T

 

 
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