KU056N03Q - описание и поиск аналогов

 

KU056N03Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KU056N03Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0047 Ohm

Тип корпуса: FLP8

Аналог (замена) для KU056N03Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KU056N03Q даташит

 ..1. Size:803K  kec
 ku056n03q.pdf pdf_icon

KU056N03Q

SEMICONDUCTOR KU056N03Q TECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFET GENERAL DESCRIPTION This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristiscs. It is mainly H suitable for DC/DC Converter and Battery pack. T D P G L U FEATURES A VDSS=30V, ID=17A. DIM MILLIMETERS Drain to Source On Resistan

Другие MOSFET... KMB054N40IA , KMB6D0DN35QB , KML0D4N20TV , KU024N06P , KU034N08P , KU045N10P , KU048N03D , KU054N03D , 75N75 , KU063N03Q , KU068N03D , KU082N03Q , KU2303D , KU2303K , KU2303Q , KU2307D , KU2307K .

History: IRF8736TR | WMK05N105C2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.