KU056N03Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: KU056N03Q
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0047 Ohm
Тип корпуса: FLP8
Аналог (замена) для KU056N03Q
KU056N03Q Datasheet (PDF)
ku056n03q.pdf

SEMICONDUCTOR KU056N03QTECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFETGENERAL DESCRIPTIONThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, lowon resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristiscs. It is mainlyHsuitable for DC/DC Converter and Battery pack.TD P GLUFEATURES AVDSS=30V, ID=17A.DIM MILLIMETERSDrain to Source On Resistan
Другие MOSFET... KMB054N40IA , KMB6D0DN35QB , KML0D4N20TV , KU024N06P , KU034N08P , KU045N10P , KU048N03D , KU054N03D , IRF520 , KU063N03Q , KU068N03D , KU082N03Q , KU2303D , KU2303K , KU2303Q , KU2307D , KU2307K .
History: MTE6D5N12B0E3 | IRFH8318TRPBF | SSG0410 | SI4N65F | WMN13N65EM | TPC6004 | PSMN015-60BS
History: MTE6D5N12B0E3 | IRFH8318TRPBF | SSG0410 | SI4N65F | WMN13N65EM | TPC6004 | PSMN015-60BS



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sa1283 | 2sb646 | 2sc1885 datasheet | 2sc2580 | 2sc710 | 2sc968 | 2sd217 | bdw93c equivalent