KU082N03Q MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KU082N03Q
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 266 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0066 Ohm
Encapsulados: FLP8
Búsqueda de reemplazo de KU082N03Q MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
KU082N03Q datasheet
ku082n03q.pdf
SEMICONDUCTOR KU082N03Q TECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFET GENERAL DESCRIPTION TENTATIVE This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristiscs. It is mainly suitable for DC/DC Converter and Battery pack.. H FEATURES T D P G L VDSS=30V, ID=14A. U Drain to Source On Resistance. RDS(O
Otros transistores... KU024N06P , KU034N08P , KU045N10P , KU048N03D , KU054N03D , KU056N03Q , KU063N03Q , KU068N03D , STP65NF06 , KU2303D , KU2303K , KU2303Q , KU2307D , KU2307K , KU2307Q , KU2310Q , KU2311K .
History: JCS4N60CB | SM3303PSQG | SM9990DSQG | SM2416NSAN | SM1A27PSUB | KX6N70 | SM2307PSA
History: JCS4N60CB | SM3303PSQG | SM9990DSQG | SM2416NSAN | SM1A27PSUB | KX6N70 | SM2307PSA
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2sc2580 | 2sc710 | 2sc968 | 2sd217 | bdw93c equivalent | cs7n60f | d613 transistor | fdmc8884 mosfet
