KU082N03Q Todos los transistores

 

KU082N03Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KU082N03Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 266 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0066 Ohm
   Paquete / Cubierta: FLP8
 

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KU082N03Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:353K  kec
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KU082N03Q

SEMICONDUCTOR KU082N03QTECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFETGENERAL DESCRIPTIONTENTATIVEThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, lowon resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristiscs. It is mainlysuitable for DC/DC Converter and Battery pack..HFEATURES TD P GLVDSS=30V, ID=14A.UDrain to Source On Resistance.RDS(O

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History: NCE0110AK | IXFA102N15T | ASDM40N80Q | FQPF18N50V2 | SI5479DU | SIS778DN | NVATS4A103PZ

 

 
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