KU082N03Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: KU082N03Q
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 266 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0066 Ohm
Тип корпуса: FLP8
Аналог (замена) для KU082N03Q
KU082N03Q Datasheet (PDF)
ku082n03q.pdf

SEMICONDUCTOR KU082N03QTECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFETGENERAL DESCRIPTIONTENTATIVEThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, lowon resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristiscs. It is mainlysuitable for DC/DC Converter and Battery pack..HFEATURES TD P GLVDSS=30V, ID=14A.UDrain to Source On Resistance.RDS(O
Другие MOSFET... KU024N06P , KU034N08P , KU045N10P , KU048N03D , KU054N03D , KU056N03Q , KU063N03Q , KU068N03D , IRFZ48N , KU2303D , KU2303K , KU2303Q , KU2307D , KU2307K , KU2307Q , KU2310Q , KU2311K .
History: NTGS4111PT | WMQ090N04LG2 | SI4435BDY
History: NTGS4111PT | WMQ090N04LG2 | SI4435BDY



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2sc2580 | 2sc710 | 2sc968 | 2sd217 | bdw93c equivalent | cs7n60f | d613 transistor | fdmc8884 mosfet