KU082N03Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: KU082N03Q
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 266 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0066 Ohm
Тип корпуса: FLP8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
KU082N03Q Datasheet (PDF)
ku082n03q.pdf

SEMICONDUCTOR KU082N03QTECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFETGENERAL DESCRIPTIONTENTATIVEThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, lowon resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristiscs. It is mainlysuitable for DC/DC Converter and Battery pack..HFEATURES TD P GLVDSS=30V, ID=14A.UDrain to Source On Resistance.RDS(O
Другие MOSFET... KU024N06P , KU034N08P , KU045N10P , KU048N03D , KU054N03D , KU056N03Q , KU063N03Q , KU068N03D , STP65NF06 , KU2303D , KU2303K , KU2303Q , KU2307D , KU2307K , KU2307Q , KU2310Q , KU2311K .
History: DMN3052LSS | FHF630A
History: DMN3052LSS | FHF630A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc2580 | 2sc710 | 2sc968 | 2sd217 | bdw93c equivalent | cs7n60f | d613 transistor | fdmc8884 mosfet