KU082N03Q - описание и поиск аналогов

 

KU082N03Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KU082N03Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 266 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0066 Ohm

Тип корпуса: FLP8

Аналог (замена) для KU082N03Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KU082N03Q даташит

 ..1. Size:353K  kec
 ku082n03q.pdf pdf_icon

KU082N03Q

SEMICONDUCTOR KU082N03Q TECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFET GENERAL DESCRIPTION TENTATIVE This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristiscs. It is mainly suitable for DC/DC Converter and Battery pack.. H FEATURES T D P G L VDSS=30V, ID=14A. U Drain to Source On Resistance. RDS(O

Другие MOSFET... KU024N06P , KU034N08P , KU045N10P , KU048N03D , KU054N03D , KU056N03Q , KU063N03Q , KU068N03D , STP65NF06 , KU2303D , KU2303K , KU2303Q , KU2307D , KU2307K , KU2307Q , KU2310Q , KU2311K .

History: KX6N70 | 2P829I9 | 2SK745 | 2SK775 | STD2NK70Z | AOB2906 | SM3303PSQG

 

 

 

 

↑ Back to Top
.