KU082N03Q - аналоги и даташиты транзистора

 

KU082N03Q - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KU082N03Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 266 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0066 Ohm
   Тип корпуса: FLP8
 

 Аналог (замена) для KU082N03Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KU082N03Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:353K  kec
 ku082n03q.pdf pdf_icon

KU082N03Q

SEMICONDUCTOR KU082N03QTECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFETGENERAL DESCRIPTIONTENTATIVEThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, lowon resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristiscs. It is mainlysuitable for DC/DC Converter and Battery pack..HFEATURES TD P GLVDSS=30V, ID=14A.UDrain to Source On Resistance.RDS(O

Другие MOSFET... KU024N06P , KU034N08P , KU045N10P , KU048N03D , KU054N03D , KU056N03Q , KU063N03Q , KU068N03D , IRFZ48N , KU2303D , KU2303K , KU2303Q , KU2307D , KU2307K , KU2307Q , KU2310Q , KU2311K .

History: NTMFS4933N | HY0910D | TK70J04K3Z | IXTQ280N055T | SWF7N60K

 

 
Back to Top

 


 
.