SE4812LT1 Todos los transistores

 

SE4812LT1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SE4812LT1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm

Encapsulados: SOT23

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SE4812LT1 datasheet

 ..1. Size:485K  willas
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SE4812LT1

FM120-M WILLAS THRU SE4812LT1 30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET FM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200V SOD-123 PACKAGE Pb Free Product Package outline Features Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance. SOD-123H Low profile surface mounted application in order to V

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History: IRFR3709ZT | SGSP479

 

 

 

 

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