SE4812LT1. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SE4812LT1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для SE4812LT1
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SE4812LT1 даташит
se4812lt1.pdf
FM120-M WILLAS THRU SE4812LT1 30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET FM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200V SOD-123 PACKAGE Pb Free Product Package outline Features Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance. SOD-123H Low profile surface mounted application in order to V
Другие MOSFET... SE2312 , SE2321 , SE3400 , SE3401 , SE3404 , SE3406 , SE3407 , SE3415 , CS150N03A8 , SE9435LT1 , SMG2305L , SRK7002LT1 , H01N45A , H01N60I , H01N60SA , H01N60SI , H01N60SJ .
History: AP30T10GK
History: AP30T10GK
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
oc70 transistor | p0603bd mosfet | p157r5nt | ptp03n04n | sm4377 mosfet datasheet | tip31c reemplazo | 2sa906 | c2389 transistor

