Справочник MOSFET. SE4812LT1

 

SE4812LT1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SE4812LT1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для SE4812LT1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE4812LT1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:485K  willas
se4812lt1.pdfpdf_icon

SE4812LT1

FM120-M WILLASTHRUSE4812LT130V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET FM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200VSOD-123 PACKAGE Pb Free ProductPackage outlineFeatures Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance.SOD-123H Low profile surface mounted application in order toV

Другие MOSFET... SE2312 , SE2321 , SE3400 , SE3401 , SE3404 , SE3406 , SE3407 , SE3415 , IRLB4132 , SE9435LT1 , SMG2305L , SRK7002LT1 , H01N45A , H01N60I , H01N60SA , H01N60SI , H01N60SJ .

History: NTHD4102P

 

 
Back to Top

 


 
.