SE9435LT1 Todos los transistores

 

SE9435LT1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SE9435LT1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm

Encapsulados: SOT23

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SE9435LT1 datasheet

 ..1. Size:469K  willas
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SE9435LT1

FM120-M WILLAS THRU SE9435LT1 30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET FM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200V SOD-123 PACKAGE Pb Free Product Package outline Features Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance. SOD-123H Low profile surface mounted application in order to

 8.1. Size:333K  cn sino-ic
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SE9435LT1

SHANGHAI August 2005 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE9435 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Description Features The MOSFETs from SINO-IC provide the VDS = -30 V best combination of fast switching, low ID = -5.3 A on-resistance and cost-effectiveness. RDS(ON) = 0.050 @VGS = -10V Low gate charge. Fast switching speed. Applications Power management

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History: 2SK3376TK | AP9970GK

 

 

 

 

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