Справочник MOSFET. SE9435LT1

 

SE9435LT1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SE9435LT1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для SE9435LT1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE9435LT1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:469K  willas
 se9435lt1.pdf pdf_icon

SE9435LT1

FM120-M WILLASTHRUSE9435LT130V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET FM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200VSOD-123 PACKAGE Pb Free ProductPackage outlineFeatures Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance.SOD-123H Low profile surface mounted application in order to

 8.1. Size:333K  cn sino-ic
 se9435.pdf pdf_icon

SE9435LT1

SHANGHAI August 2005 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE9435 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Description Features The MOSFETs from SINO-IC provide the VDS = -30 V best combination of fast switching, low ID = -5.3 A on-resistance and cost-effectiveness. RDS(ON) = 0.050 @VGS = -10V Low gate charge. Fast switching speed. Applications Power management

Другие MOSFET... SE2321 , SE3400 , SE3401 , SE3404 , SE3406 , SE3407 , SE3415 , SE4812LT1 , IRFP450 , SMG2305L , SRK7002LT1 , H01N45A , H01N60I , H01N60SA , H01N60SI , H01N60SJ , H02N60E .

 

 
Back to Top

 


 
.