H01N45A Todos los transistores

 

H01N45A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: H01N45A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.7 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 14 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 27.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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H01N45A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:44K  hsmc
 h01n45a.pdf pdf_icon

H01N45A

Spec. No. : MOS200408HI-SINCERITYIssued Date : 2004.11.01Revised Date : 2005.03.10MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4H01N45A Pin AssignmentH01N45A3-Lead Plastic TO-92N-Channel Power Field Effect TransistorPackage Code: APin 1: GatePin 2: DrainPin 3: SourceFeatures321 Typical RDS(on)=4.1 D Extremely High dv/dt Capability 100% Avalanche Tested

Otros transistores... SE3404 , SE3406 , SE3407 , SE3415 , SE4812LT1 , SE9435LT1 , SMG2305L , SRK7002LT1 , IRF1407 , H01N60I , H01N60SA , H01N60SI , H01N60SJ , H02N60E , H02N60F , H02N60I , H02N60J .

History: IRFB4020 | IPW60R041P6 | SDF9N100GAF-D | FDY300NZ | IRLMS1503

 

 
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