H01N45A Todos los transistores

 

H01N45A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: H01N45A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 450 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 27.5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.5 Ohm

Encapsulados: TO92

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H01N45A datasheet

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H01N45A

Spec. No. MOS200408 HI-SINCERITY Issued Date 2004.11.01 Revised Date 2005.03.10 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 H01N45A Pin Assignment H01N45A 3-Lead Plastic TO-92 N-Channel Power Field Effect Transistor Package Code A Pin 1 Gate Pin 2 Drain Pin 3 Source Features 3 2 1 Typical RDS(on)=4.1 D Extremely High dv/dt Capability 100% Avalanche Tested

Otros transistores... SE3404 , SE3406 , SE3407 , SE3415 , SE4812LT1 , SE9435LT1 , SMG2305L , SRK7002LT1 , IRFP450 , H01N60I , H01N60SA , H01N60SI , H01N60SJ , H02N60E , H02N60F , H02N60I , H02N60J .

History: FDMS86102LZ

 

 

 

 

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