H01N45A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: H01N45A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 2.5 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 450 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 0.5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.7 V
   Carga de la puerta (Qg): 14 nC
   Tiempo de subida (tr): 4 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 27.5 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 4.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO92

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H01N45A Datasheet (PDF)

..1. Size:44K hsmc
h01n45a.pdf

Spec. No. : MOS200408HI-SINCERITYIssued Date : 2004.11.01Revised Date : 2005.03.10MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4H01N45A Pin AssignmentH01N45A3-Lead Plastic TO-92N-Channel Power Field Effect TransistorPackage Code: APin 1: GatePin 2: DrainPin 3: SourceFeatures321 Typical RDS(on)=4.1 D Extremely High dv/dt Capability 100% Avalanche Tested

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Liste

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