Справочник MOSFET. H01N45A

 

H01N45A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: H01N45A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 27.5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm
   Тип корпуса: TO92
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

H01N45A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:44K  hsmc
 h01n45a.pdf pdf_icon

H01N45A

Spec. No. : MOS200408HI-SINCERITYIssued Date : 2004.11.01Revised Date : 2005.03.10MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4H01N45A Pin AssignmentH01N45A3-Lead Plastic TO-92N-Channel Power Field Effect TransistorPackage Code: APin 1: GatePin 2: DrainPin 3: SourceFeatures321 Typical RDS(on)=4.1 D Extremely High dv/dt Capability 100% Avalanche Tested

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: CJMPD11 | FDG6320C | SSF65R420S2 | STB10NK60ZT4 | SI7413DN | BUK455-100B | NCEAP016N10LL

 

 
Back to Top

 


 
.