H01N45A - описание и поиск аналогов

 

H01N45A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H01N45A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 450 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 27.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm

Тип корпуса: TO92

Аналог (замена) для H01N45A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H01N45A даташит

 ..1. Size:44K  hsmc
 h01n45a.pdf pdf_icon

H01N45A

Spec. No. MOS200408 HI-SINCERITY Issued Date 2004.11.01 Revised Date 2005.03.10 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 H01N45A Pin Assignment H01N45A 3-Lead Plastic TO-92 N-Channel Power Field Effect Transistor Package Code A Pin 1 Gate Pin 2 Drain Pin 3 Source Features 3 2 1 Typical RDS(on)=4.1 D Extremely High dv/dt Capability 100% Avalanche Tested

Другие MOSFET... SE3404 , SE3406 , SE3407 , SE3415 , SE4812LT1 , SE9435LT1 , SMG2305L , SRK7002LT1 , IRFP450 , H01N60I , H01N60SA , H01N60SI , H01N60SJ , H02N60E , H02N60F , H02N60I , H02N60J .

History: FDMS7700S

 

 

 

 

↑ Back to Top
.