Справочник MOSFET. H01N45A

 

H01N45A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: H01N45A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.7 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 14 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 27.5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm
   Тип корпуса: TO92
 

 Аналог (замена) для H01N45A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H01N45A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:44K  hsmc
 h01n45a.pdf pdf_icon

H01N45A

Spec. No. : MOS200408HI-SINCERITYIssued Date : 2004.11.01Revised Date : 2005.03.10MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4H01N45A Pin AssignmentH01N45A3-Lead Plastic TO-92N-Channel Power Field Effect TransistorPackage Code: APin 1: GatePin 2: DrainPin 3: SourceFeatures321 Typical RDS(on)=4.1 D Extremely High dv/dt Capability 100% Avalanche Tested

Другие MOSFET... SE3404 , SE3406 , SE3407 , SE3415 , SE4812LT1 , SE9435LT1 , SMG2305L , SRK7002LT1 , IRF1407 , H01N60I , H01N60SA , H01N60SI , H01N60SJ , H02N60E , H02N60F , H02N60I , H02N60J .

History: IPW60R041P6 | SDF9N100GAF-D | IRLMS1503

 

 
Back to Top

 


 
.