FDS6375 Todos los transistores

 

FDS6375 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDS6375
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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FDS6375 Datasheet (PDF)

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FDS6375

September 2001 FDS6375 P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This P 2.5V specified MOSFET is a rugged -Channel 8 A, 20 V. R = 24 m @ V = 4.5 V DS(ON) GSgate version of Fairchild Semiconductors advanced R = 32 m @ V = 2.5 V DS(ON) GSPowerTrench process. It has been optimized for power management applications wit

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FDS6375

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

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