FDS6375 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDS6375

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm

Encapsulados: SO8

 Búsqueda de reemplazo de FDS6375 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

FDS6375 datasheet

 ..1. Size:67K  fairchild semi
 fds6375.pdf pdf_icon

FDS6375

September 2001 FDS6375 P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This P 2.5V specified MOSFET is a rugged -Channel 8 A, 20 V. R = 24 m @ V = 4.5 V DS(ON) GS gate version of Fairchild Semiconductor s advanced R = 32 m @ V = 2.5 V DS(ON) GS PowerTrench process. It has been optimized for power management applications wit

 ..2. Size:178K  onsemi
 fds6375.pdf pdf_icon

FDS6375

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Otros transistores... FDS3570, FDS3580, FDS4410, FDS4435, FDS4435A, FDS4953, FDS5680, FDS5690, IRF630, FDS6570A, FDS6575, FDS6576, FDS6612A, FDS6614A, FDS6630A, FDS6670A, FDS6675