Справочник MOSFET. FDS6375

 

FDS6375 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDS6375
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для FDS6375

 

 

FDS6375 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:67K  fairchild semi
 fds6375.pdf

FDS6375 FDS6375

September 2001 FDS6375 P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This P 2.5V specified MOSFET is a rugged -Channel 8 A, 20 V. R = 24 m @ V = 4.5 V DS(ON) GSgate version of Fairchild Semiconductors advanced R = 32 m @ V = 2.5 V DS(ON) GSPowerTrench process. It has been optimized for power management applications wit

 ..2. Size:178K  onsemi
 fds6375.pdf

FDS6375 FDS6375

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие MOSFET... FDS3570 , FDS3580 , FDS4410 , FDS4435 , FDS4435A , FDS4953 , FDS5680 , FDS5690 , IRLB4132 , FDS6570A , FDS6575 , FDS6576 , FDS6612A , FDS6614A , FDS6630A , FDS6670A , FDS6675 .

 

 
Back to Top