FDS6375. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDS6375

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для FDS6375

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDS6375 даташит

 ..1. Size:67K  fairchild semi
 fds6375.pdf pdf_icon

FDS6375

September 2001 FDS6375 P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This P 2.5V specified MOSFET is a rugged -Channel 8 A, 20 V. R = 24 m @ V = 4.5 V DS(ON) GS gate version of Fairchild Semiconductor s advanced R = 32 m @ V = 2.5 V DS(ON) GS PowerTrench process. It has been optimized for power management applications wit

 ..2. Size:178K  onsemi
 fds6375.pdf pdf_icon

FDS6375

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие IGBT... FDS3570, FDS3580, FDS4410, FDS4435, FDS4435A, FDS4953, FDS5680, FDS5690, IRF630, FDS6570A, FDS6575, FDS6576, FDS6612A, FDS6614A, FDS6630A, FDS6670A, FDS6675