H03N60E Todos los transistores

 

H03N60E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: H03N60E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm

Encapsulados: TO220AB

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H03N60E datasheet

 8.1. Size:56K  hsmc
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H03N60E

Spec. No. MOS200602 HI-SINCERITY Issued Date 2006.02.01 Revised Date 2006.02.07 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 H03N60 Series Pin Assignment H03N60 Series Tab N-Channel Power Field Effect Transistor 3-Lead Plastic TO-220AB Package Code E Pin 1 Gate Pin 2 & Tab Drain Description Pin 3 Source 3 This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to 2 1

Otros transistores... H02N60I , H02N60J , H02N60SE , H02N60SF , H02N60SI , H02N60SJ , H02N65E , H02N65F , IRF520 , H03N60F , H04N60E , H04N60F , H04N65E , H04N65F , H05N50E , H05N50F , H05N60E .

History: LSB65R180HT | LSE50R160HT | AP9974GH | SVT20240NS | ME2612-G

 

 

 

 

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