H03N60E - описание и поиск аналогов

 

H03N60E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H03N60E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для H03N60E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H03N60E даташит

 8.1. Size:56K  hsmc
 h03n60.pdf pdf_icon

H03N60E

Spec. No. MOS200602 HI-SINCERITY Issued Date 2006.02.01 Revised Date 2006.02.07 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 H03N60 Series Pin Assignment H03N60 Series Tab N-Channel Power Field Effect Transistor 3-Lead Plastic TO-220AB Package Code E Pin 1 Gate Pin 2 & Tab Drain Description Pin 3 Source 3 This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to 2 1

Другие MOSFET... H02N60I , H02N60J , H02N60SE , H02N60SF , H02N60SI , H02N60SJ , H02N65E , H02N65F , IRF520 , H03N60F , H04N60E , H04N60F , H04N65E , H04N65F , H05N50E , H05N50F , H05N60E .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.