H03N60E - аналоги и даташиты транзистора

 

H03N60E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: H03N60E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для H03N60E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H03N60E Datasheet (PDF)

 8.1. Size:56K  hsmc
 h03n60.pdf pdf_icon

H03N60E

Spec. No. : MOS200602HI-SINCERITYIssued Date : 2006.02.01Revised Date : 2006.02.07MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H03N60 Series Pin AssignmentH03N60 SeriesTabN-Channel Power Field Effect Transistor3-Lead Plastic TO-220ABPackage Code: EPin 1: GatePin 2 & Tab: DrainDescriptionPin 3: Source3This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to 21

Другие MOSFET... H02N60I , H02N60J , H02N60SE , H02N60SF , H02N60SI , H02N60SJ , H02N65E , H02N65F , CS150N03A8 , H03N60F , H04N60E , H04N60F , H04N65E , H04N65F , H05N50E , H05N50F , H05N60E .

History: JMTC068N07A

 

 
Back to Top

 


 
.