H03N60F Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: H03N60F  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm

Encapsulados: TO220FP

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de H03N60F MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

H03N60F datasheet

 8.1. Size:56K  hsmc
 h03n60.pdf pdf_icon

H03N60F

Spec. No. MOS200602 HI-SINCERITY Issued Date 2006.02.01 Revised Date 2006.02.07 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 H03N60 Series Pin Assignment H03N60 Series Tab N-Channel Power Field Effect Transistor 3-Lead Plastic TO-220AB Package Code E Pin 1 Gate Pin 2 & Tab Drain Description Pin 3 Source 3 This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to 2 1

Otros transistores... H02N60J, H02N60SE, H02N60SF, H02N60SI, H02N60SJ, H02N65E, H02N65F, H03N60E, K4145, H04N60E, H04N60F, H04N65E, H04N65F, H05N50E, H05N50F, H05N60E, H05N60F