H03N60F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: H03N60F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220FP
Búsqueda de reemplazo de H03N60F MOSFET
H03N60F Datasheet (PDF)
h03n60.pdf

Spec. No. : MOS200602HI-SINCERITYIssued Date : 2006.02.01Revised Date : 2006.02.07MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H03N60 Series Pin AssignmentH03N60 SeriesTabN-Channel Power Field Effect Transistor3-Lead Plastic TO-220ABPackage Code: EPin 1: GatePin 2 & Tab: DrainDescriptionPin 3: Source3This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to 21
Otros transistores... H02N60J , H02N60SE , H02N60SF , H02N60SI , H02N60SJ , H02N65E , H02N65F , H03N60E , IRFB31N20D , H04N60E , H04N60F , H04N65E , H04N65F , H05N50E , H05N50F , H05N60E , H05N60F .
History: FBM80N70P | PJD1NA60A | IRC140 | 13N40 | AON7406 | I80N06
History: FBM80N70P | PJD1NA60A | IRC140 | 13N40 | AON7406 | I80N06



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0604AGQ | JMSL0604AG | JMSL0603PG | JMSL0603BGQ | JMSL0603BG | JMSL0603AK | JMSL0602PG | JMSL0602MG | JMSL0602AGQ | JMSL0602AG | JMSL0601TG | JMSL0601BGQ | JMSL0601BG | JMSL0601AGQ | JMSL0601AG | JMTP330N06D
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