H03N60F Todos los transistores

 

H03N60F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: H03N60F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 28 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 21 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 66 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 4 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220FP

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H03N60F Datasheet (PDF)

4.1. h03n60.pdf Size:56K _hsmc

H03N60F
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Spec. No. : MOS200602 HI-SINCERITY Issued Date : 2006.02.01 Revised Date : 2006.02.07 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 H03N60 Series Pin Assignment H03N60 Series Tab N-Channel Power Field Effect Transistor 3-Lead Plastic TO-220AB Package Code: E Pin 1: Gate Pin 2 & Tab: Drain Description Pin 3: Source 3 This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to 2 1 pro

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
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