H03N60F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: H03N60F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 28 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 21 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 66 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 4 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220FP
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H03N60F Datasheet (PDF)
4.1. h03n60.pdf 
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Spec. No. : MOS200602 HI-SINCERITY Issued Date : 2006.02.01 Revised Date : 2006.02.07 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 H03N60 Series Pin Assignment H03N60 Series Tab N-Channel Power Field Effect Transistor 3-Lead Plastic TO-220AB Package Code: E Pin 1: Gate Pin 2 & Tab: Drain Description Pin 3: Source 3 This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to 2 1 pro
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