H03N60F Todos los transistores

 

H03N60F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: H03N60F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FP
 

 Búsqueda de reemplazo de H03N60F MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

H03N60F Datasheet (PDF)

 8.1. Size:56K  hsmc
 h03n60.pdf pdf_icon

H03N60F

Spec. No. : MOS200602HI-SINCERITYIssued Date : 2006.02.01Revised Date : 2006.02.07MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H03N60 Series Pin AssignmentH03N60 SeriesTabN-Channel Power Field Effect Transistor3-Lead Plastic TO-220ABPackage Code: EPin 1: GatePin 2 & Tab: DrainDescriptionPin 3: Source3This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to 21

Otros transistores... H02N60J , H02N60SE , H02N60SF , H02N60SI , H02N60SJ , H02N65E , H02N65F , H03N60E , NCEP15T14 , H04N60E , H04N60F , H04N65E , H04N65F , H05N50E , H05N50F , H05N60E , H05N60F .

History: IRF8252PBF

 

 
Back to Top

 


 
.