Справочник MOSFET. H03N60F

 

H03N60F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: H03N60F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 28 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 21 ns

Выходная емкость (Cd): 66 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4 Ohm

Тип корпуса: TO220FP

Аналог (замена) для H03N60F

 

 

H03N60F Datasheet (PDF)

4.1. h03n60.pdf Size:56K _hsmc

H03N60F H03N60F

Spec. No. : MOS200602 HI-SINCERITY Issued Date : 2006.02.01 Revised Date : 2006.02.07 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 H03N60 Series Pin Assignment H03N60 Series Tab N-Channel Power Field Effect Transistor 3-Lead Plastic TO-220AB Package Code: E Pin 1: Gate Pin 2 & Tab: Drain Description Pin 3: Source 3 This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to 2 1 pro

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top