H03N60F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: H03N60F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 28 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 21 ns
Выходная емкость (Cd): 66 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4 Ohm
Тип корпуса: TO220FP
H03N60F Datasheet (PDF)
4.1. h03n60.pdf 
Size:56K _hsmc
Spec. No. : MOS200602 HI-SINCERITY Issued Date : 2006.02.01 Revised Date : 2006.02.07 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 H03N60 Series Pin Assignment H03N60 Series Tab N-Channel Power Field Effect Transistor 3-Lead Plastic TO-220AB Package Code: E Pin 1: Gate Pin 2 & Tab: Drain Description Pin 3: Source 3 This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to 2 1 pro
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
