H03N60F - описание и поиск аналогов

 

Аналоги H03N60F. Основные параметры


   Наименование производителя: H03N60F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: TO220FP
 

 Аналог (замена) для H03N60F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H03N60F даташит

 8.1. Size:56K  hsmc
 h03n60.pdf pdf_icon

H03N60F

Spec. No. MOS200602 HI-SINCERITY Issued Date 2006.02.01 Revised Date 2006.02.07 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 H03N60 Series Pin Assignment H03N60 Series Tab N-Channel Power Field Effect Transistor 3-Lead Plastic TO-220AB Package Code E Pin 1 Gate Pin 2 & Tab Drain Description Pin 3 Source 3 This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to 2 1

Другие MOSFET... H02N60J , H02N60SE , H02N60SF , H02N60SI , H02N60SJ , H02N65E , H02N65F , H03N60E , IRF2807 , H04N60E , H04N60F , H04N65E , H04N65F , H05N50E , H05N50F , H05N60E , H05N60F .

History: IPP60R099C7

 

 

 


 
↑ Back to Top
.