H04N60F Todos los transistores

 

H04N60F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: H04N60F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm

Encapsulados: TO220FP

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H04N60F datasheet

 8.1. Size:123K  hsmc
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H04N60F

Spec. No. MOS200404 HI-SINCERITY Issued Date 2004.07.01 Revised Date 2010.10.14 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/6 H04N60 Series Pin Assignment H04N60 Series Tab 3-Lead Plastic TO-263 Package Code U N-Channel Power Field Effect Transistor (600V, 4A) Pin 1 Gate Pin 2 & Tab Drain 3 2 Pin 3 Source 1 Description Tab 3-Lead Plastic TO-220AB This advanced

 9.1. Size:169K  hsmc
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H04N60F

Spec. No. MOS200802 HI-SINCERITY Issued Date 2008.07.22 Revised Date 2009.03.23 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/6 H04N65 Series Pin Assignment H04N65 Series Tab 3-Lead Plastic TO-220AB N-Channel Power Field Effect Transistor (650V, 4A) Package Code E Pin 1 Gate Pin 2 & Tab Drain Pin 3 Source Description 3 2 1 This advanced high voltage MOSFET is d

Otros transistores... H02N60SF , H02N60SI , H02N60SJ , H02N65E , H02N65F , H03N60E , H03N60F , H04N60E , IRFZ24N , H04N65E , H04N65F , H05N50E , H05N50F , H05N60E , H05N60F , H06N60E , H06N60F .

History: IRFZ48RSP | SGSP330 | WM02P06H

 

 

 

 

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