H04N60F - описание и поиск аналогов

 

H04N60F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H04N60F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm

Тип корпуса: TO220FP

Аналог (замена) для H04N60F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H04N60F даташит

 8.1. Size:123K  hsmc
 h04n60.pdf pdf_icon

H04N60F

Spec. No. MOS200404 HI-SINCERITY Issued Date 2004.07.01 Revised Date 2010.10.14 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/6 H04N60 Series Pin Assignment H04N60 Series Tab 3-Lead Plastic TO-263 Package Code U N-Channel Power Field Effect Transistor (600V, 4A) Pin 1 Gate Pin 2 & Tab Drain 3 2 Pin 3 Source 1 Description Tab 3-Lead Plastic TO-220AB This advanced

 9.1. Size:169K  hsmc
 h04n65.pdf pdf_icon

H04N60F

Spec. No. MOS200802 HI-SINCERITY Issued Date 2008.07.22 Revised Date 2009.03.23 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/6 H04N65 Series Pin Assignment H04N65 Series Tab 3-Lead Plastic TO-220AB N-Channel Power Field Effect Transistor (650V, 4A) Package Code E Pin 1 Gate Pin 2 & Tab Drain Pin 3 Source Description 3 2 1 This advanced high voltage MOSFET is d

Другие MOSFET... H02N60SF , H02N60SI , H02N60SJ , H02N65E , H02N65F , H03N60E , H03N60F , H04N60E , IRFZ24N , H04N65E , H04N65F , H05N50E , H05N50F , H05N60E , H05N60F , H06N60E , H06N60F .

History: AP9974GP | LSE50R160HT | LSE55R140GT | SVT20240NS | LSB65R180HT | ME2612-G | SVT25600NF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.