H05N50E Todos los transistores

 

H05N50E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: H05N50E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: TO220AB

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H05N50E datasheet

 8.1. Size:45K  hsmc
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H05N50E

Spec. No. MOS200601 HI-SINCERITY Issued Date 2006.02.01 Revised Date 2006.02.20 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 H05N50 Series Pin Assignment H05N50 Series Tab N-CHANNEL POWER MOSFET 3-Lead Plastic TO-220AB Package Code E Pin 1 Gate Pin 2 & Tab Drain Description Pin 3 Source This N - Channel MOSFETs provide the designer with the best combination of fast switching

Otros transistores... H02N65E , H02N65F , H03N60E , H03N60F , H04N60E , H04N60F , H04N65E , H04N65F , P60NF06 , H05N50F , H05N60E , H05N60F , H06N60E , H06N60F , H07N60E , H07N60F , H07N65E .

History: FBM75N68P

 

 

 

 

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