H05N50E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: H05N50E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET H05N50E

H05N50E Datasheet (PDF)

8.1. Size:45K hsmc
h05n50.pdf

Spec. No. : MOS200601HI-SINCERITYIssued Date : 2006.02.01Revised Date : 2006.02.20MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4H05N50 Series Pin AssignmentH05N50 SeriesTabN-CHANNEL POWER MOSFET3-Lead Plastic TO-220ABPackage Code: EPin 1: GatePin 2 & Tab: DrainDescriptionPin 3: SourceThis N - Channel MOSFETs provide the designer with the bestcombination of fast switching

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Liste

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