H05N50E Todos los transistores

 

H05N50E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: H05N50E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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H05N50E Datasheet (PDF)

 8.1. Size:45K  hsmc
 h05n50.pdf pdf_icon

H05N50E

Spec. No. : MOS200601HI-SINCERITYIssued Date : 2006.02.01Revised Date : 2006.02.20MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4H05N50 Series Pin AssignmentH05N50 SeriesTabN-CHANNEL POWER MOSFET3-Lead Plastic TO-220ABPackage Code: EPin 1: GatePin 2 & Tab: DrainDescriptionPin 3: SourceThis N - Channel MOSFETs provide the designer with the bestcombination of fast switching

Otros transistores... H02N65E , H02N65F , H03N60E , H03N60F , H04N60E , H04N60F , H04N65E , H04N65F , AO3401 , H05N50F , H05N60E , H05N60F , H06N60E , H06N60F , H07N60E , H07N60F , H07N65E .

History: FSS294 | APT12057LFLLG | AP3C010M | 2SK1172-01 | NCE3N150D | SVS7N65FJD2

 

 
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