Справочник MOSFET. H05N50E

 

H05N50E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: H05N50E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для H05N50E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H05N50E Datasheet (PDF)

 8.1. Size:45K  hsmc
 h05n50.pdf pdf_icon

H05N50E

Spec. No. : MOS200601HI-SINCERITYIssued Date : 2006.02.01Revised Date : 2006.02.20MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4H05N50 Series Pin AssignmentH05N50 SeriesTabN-CHANNEL POWER MOSFET3-Lead Plastic TO-220ABPackage Code: EPin 1: GatePin 2 & Tab: DrainDescriptionPin 3: SourceThis N - Channel MOSFETs provide the designer with the bestcombination of fast switching

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FDMS8672S

 

 
Back to Top

 


 
.