H05N50E - аналоги и даташиты транзистора

 

H05N50E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: H05N50E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для H05N50E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H05N50E Datasheet (PDF)

 8.1. Size:45K  hsmc
 h05n50.pdf pdf_icon

H05N50E

Spec. No. : MOS200601HI-SINCERITYIssued Date : 2006.02.01Revised Date : 2006.02.20MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4H05N50 Series Pin AssignmentH05N50 SeriesTabN-CHANNEL POWER MOSFET3-Lead Plastic TO-220ABPackage Code: EPin 1: GatePin 2 & Tab: DrainDescriptionPin 3: SourceThis N - Channel MOSFETs provide the designer with the bestcombination of fast switching

Другие MOSFET... H02N65E , H02N65F , H03N60E , H03N60F , H04N60E , H04N60F , H04N65E , H04N65F , AO3401 , H05N50F , H05N60E , H05N60F , H06N60E , H06N60F , H07N60E , H07N60F , H07N65E .

History: FXN15N50F | FQPF5N50CYDTU | IRFP443R

 

 
Back to Top

 


 
.