H05N60E Todos los transistores

 

H05N60E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: H05N60E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.3 Ohm

Encapsulados: TO220AB

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H05N60E datasheet

 8.1. Size:58K  hsmc
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H05N60E

Spec. No. MOS200603 HI-SINCERITY Issued Date 2006.02.01 Revised Date 2006.02.07 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 H05N60 Series Pin Assignment H05N60 Series Tab N-Channel Power Field Effect Transistor 3-Lead Plastic TO-220AB Package Code E Pin 1 Gate Pin 2 & Tab Drain Description Pin 3 Source 3 This advanced high voltage MOSFET is designed to withstand high 2 1

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History: STH410N4F7-2AG

 

 

 

 

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