H05N60E - описание и поиск аналогов

 

H05N60E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H05N60E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для H05N60E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H05N60E даташит

 8.1. Size:58K  hsmc
 h05n60.pdf pdf_icon

H05N60E

Spec. No. MOS200603 HI-SINCERITY Issued Date 2006.02.01 Revised Date 2006.02.07 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 H05N60 Series Pin Assignment H05N60 Series Tab N-Channel Power Field Effect Transistor 3-Lead Plastic TO-220AB Package Code E Pin 1 Gate Pin 2 & Tab Drain Description Pin 3 Source 3 This advanced high voltage MOSFET is designed to withstand high 2 1

Другие MOSFET... H03N60E , H03N60F , H04N60E , H04N60F , H04N65E , H04N65F , H05N50E , H05N50F , AO3400A , H05N60F , H06N60E , H06N60F , H07N60E , H07N60F , H07N65E , H07N65F , H10N60E .

History: H04N65F | K1307

 

 

 

 

↑ Back to Top
.