Справочник MOSFET. H05N60E

 

H05N60E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: H05N60E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для H05N60E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H05N60E Datasheet (PDF)

 8.1. Size:58K  hsmc
 h05n60.pdf pdf_icon

H05N60E

Spec. No. : MOS200603HI-SINCERITYIssued Date : 2006.02.01Revised Date : 2006.02.07MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H05N60 Series Pin AssignmentH05N60 SeriesTabN-Channel Power Field Effect Transistor3-Lead Plastic TO-220ABPackage Code: EPin 1: GatePin 2 & Tab: DrainDescriptionPin 3: Source3This advanced high voltage MOSFET is designed to withstand high 21

Другие MOSFET... H03N60E , H03N60F , H04N60E , H04N60F , H04N65E , H04N65F , H05N50E , H05N50F , RU6888R , H05N60F , H06N60E , H06N60F , H07N60E , H07N60F , H07N65E , H07N65F , H10N60E .

History: MMBFJ111 | STP30NF20 | CMPDM7002AE

 

 
Back to Top

 


 
.