H06N60E Todos los transistores

 

H06N60E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: H06N60E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 110 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 19 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 158 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.2 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220AB

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H06N60E Datasheet (PDF)

4.1. h06n60.pdf Size:71K _hsmc

H06N60E
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Spec. No. : MOS200402 HI-SINCERITY Issued Date : 2004.04.01 Revised Date : 2005.03.10 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/6 H06N60 Series Pin Assignment H06N60 Series Tab 3-Lead Plastic TO-263 N-Channel Power Field Effect Transistor Package Code: U Pin 1: Gate Pin 2 & Tab: Drain 3 2 Pin 3: Source 1 Description Tab This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
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