H06N60E Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: H06N60E  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 158 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: TO220AB

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H06N60E datasheet

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H06N60E

Spec. No. MOS200402 HI-SINCERITY Issued Date 2004.04.01 Revised Date 2005.03.10 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/6 H06N60 Series Pin Assignment H06N60 Series Tab 3-Lead Plastic TO-263 N-Channel Power Field Effect Transistor Package Code U Pin 1 Gate Pin 2 & Tab Drain 3 2 Pin 3 Source 1 Description Tab This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme t

 8.1. Size:71K  hsmc
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H06N60E

Spec. No. MOS200402 HI-SINCERITY Issued Date 2004.04.01 Revised Date 2005.03.10 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/6 H06N60 Series Pin Assignment H06N60 Series Tab 3-Lead Plastic TO-263 N-Channel Power Field Effect Transistor Package Code U Pin 1 Gate Pin 2 & Tab Drain 3 2 Pin 3 Source 1 Description Tab This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme t

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