H06N60E Todos los transistores

 

H06N60E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: H06N60E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 158 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

 Búsqueda de reemplazo de H06N60E MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

H06N60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:75K  1
 h06n60u h06n60e h06n60f.pdf pdf_icon

H06N60E

Spec. No. : MOS200402HI-SINCERITYIssued Date : 2004.04.01Revised Date : 2005.03.10MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/6H06N60 Series Pin AssignmentH06N60 SeriesTab 3-Lead Plastic TO-263N-Channel Power Field Effect TransistorPackage Code: UPin 1: GatePin 2 & Tab: Drain32Pin 3: Source1DescriptionTabThis high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme t

 8.1. Size:71K  hsmc
 h06n60.pdf pdf_icon

H06N60E

Spec. No. : MOS200402HI-SINCERITYIssued Date : 2004.04.01Revised Date : 2005.03.10MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/6H06N60 Series Pin AssignmentH06N60 SeriesTab 3-Lead Plastic TO-263N-Channel Power Field Effect TransistorPackage Code: UPin 1: GatePin 2 & Tab: Drain32Pin 3: Source1DescriptionTabThis high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme t

Otros transistores... H04N60E , H04N60F , H04N65E , H04N65F , H05N50E , H05N50F , H05N60E , H05N60F , IRFZ48N , H06N60F , H07N60E , H07N60F , H07N65E , H07N65F , H10N60E , H10N60F , H10N65E .

History: TDM3436 | IRFU3518PBF

 

 
Back to Top

 


 
.