H06N60E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: H06N60E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 158 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
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H06N60E Datasheet (PDF)
h06n60u h06n60e h06n60f.pdf
Spec. No. : MOS200402HI-SINCERITYIssued Date : 2004.04.01Revised Date : 2005.03.10MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/6H06N60 Series Pin AssignmentH06N60 SeriesTab 3-Lead Plastic TO-263N-Channel Power Field Effect TransistorPackage Code: UPin 1: GatePin 2 & Tab: Drain32Pin 3: Source1DescriptionTabThis high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme t
h06n60.pdf
Spec. No. : MOS200402HI-SINCERITYIssued Date : 2004.04.01Revised Date : 2005.03.10MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/6H06N60 Series Pin AssignmentH06N60 SeriesTab 3-Lead Plastic TO-263N-Channel Power Field Effect TransistorPackage Code: UPin 1: GatePin 2 & Tab: Drain32Pin 3: Source1DescriptionTabThis high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme t
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Liste
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