H06N60E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: H06N60E  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 158 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для H06N60E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H06N60E даташит

 ..1. Size:75K  1
 h06n60u h06n60e h06n60f.pdf pdf_icon

H06N60E

Spec. No. MOS200402 HI-SINCERITY Issued Date 2004.04.01 Revised Date 2005.03.10 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/6 H06N60 Series Pin Assignment H06N60 Series Tab 3-Lead Plastic TO-263 N-Channel Power Field Effect Transistor Package Code U Pin 1 Gate Pin 2 & Tab Drain 3 2 Pin 3 Source 1 Description Tab This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme t

 8.1. Size:71K  hsmc
 h06n60.pdf pdf_icon

H06N60E

Spec. No. MOS200402 HI-SINCERITY Issued Date 2004.04.01 Revised Date 2005.03.10 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/6 H06N60 Series Pin Assignment H06N60 Series Tab 3-Lead Plastic TO-263 N-Channel Power Field Effect Transistor Package Code U Pin 1 Gate Pin 2 & Tab Drain 3 2 Pin 3 Source 1 Description Tab This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme t

Другие IGBT... H04N60E, H04N60F, H04N65E, H04N65F, H05N50E, H05N50F, H05N60E, H05N60F, 2N60, H06N60F, H07N60E, H07N60F, H07N65E, H07N65F, H10N60E, H10N60F, H10N65E