Справочник MOSFET. H06N60E

 

H06N60E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: H06N60E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 158 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

H06N60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:75K  1
 h06n60u h06n60e h06n60f.pdf pdf_icon

H06N60E

Spec. No. : MOS200402HI-SINCERITYIssued Date : 2004.04.01Revised Date : 2005.03.10MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/6H06N60 Series Pin AssignmentH06N60 SeriesTab 3-Lead Plastic TO-263N-Channel Power Field Effect TransistorPackage Code: UPin 1: GatePin 2 & Tab: Drain32Pin 3: Source1DescriptionTabThis high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme t

 8.1. Size:71K  hsmc
 h06n60.pdf pdf_icon

H06N60E

Spec. No. : MOS200402HI-SINCERITYIssued Date : 2004.04.01Revised Date : 2005.03.10MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/6H06N60 Series Pin AssignmentH06N60 SeriesTab 3-Lead Plastic TO-263N-Channel Power Field Effect TransistorPackage Code: UPin 1: GatePin 2 & Tab: Drain32Pin 3: Source1DescriptionTabThis high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme t

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: STD8N10-1 | DG840 | FDPF8N50NZU | SDF120JDA-D | IRLU3715 | KNB1906A | IXFH320N10T2

 

 
Back to Top

 


 
.