Справочник MOSFET. H06N60E

 

H06N60E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: H06N60E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 158 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для H06N60E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H06N60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:75K  1
 h06n60u h06n60e h06n60f.pdf pdf_icon

H06N60E

Spec. No. : MOS200402HI-SINCERITYIssued Date : 2004.04.01Revised Date : 2005.03.10MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/6H06N60 Series Pin AssignmentH06N60 SeriesTab 3-Lead Plastic TO-263N-Channel Power Field Effect TransistorPackage Code: UPin 1: GatePin 2 & Tab: Drain32Pin 3: Source1DescriptionTabThis high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme t

 8.1. Size:71K  hsmc
 h06n60.pdf pdf_icon

H06N60E

Spec. No. : MOS200402HI-SINCERITYIssued Date : 2004.04.01Revised Date : 2005.03.10MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/6H06N60 Series Pin AssignmentH06N60 SeriesTab 3-Lead Plastic TO-263N-Channel Power Field Effect TransistorPackage Code: UPin 1: GatePin 2 & Tab: Drain32Pin 3: Source1DescriptionTabThis high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme t

Другие MOSFET... H04N60E , H04N60F , H04N65E , H04N65F , H05N50E , H05N50F , H05N60E , H05N60F , IRFZ48N , H06N60F , H07N60E , H07N60F , H07N65E , H07N65F , H10N60E , H10N60F , H10N65E .

History: IRFI9Z14G | NTR1P02LT1G | FMV05N60E | SIHF530 | APT30M40JVFR | 2N6799-SM | H5N2504DS

 

 
Back to Top

 


 
.