Справочник MOSFET. H06N60E

 

H06N60E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: H06N60E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 19 ns

Выходная емкость (Cd): 158 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для H06N60E

 

 

H06N60E Datasheet (PDF)

4.1. h06n60.pdf Size:71K _hsmc

H06N60E
H06N60E

Spec. No. : MOS200402 HI-SINCERITY Issued Date : 2004.04.01 Revised Date : 2005.03.10 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/6 H06N60 Series Pin Assignment H06N60 Series Tab 3-Lead Plastic TO-263 N-Channel Power Field Effect Transistor Package Code: U Pin 1: Gate Pin 2 & Tab: Drain 3 2 Pin 3: Source 1 Description Tab This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top