H2301N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: H2301N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.73 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145.54 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Encapsulados: SOT23
Búsqueda de reemplazo de H2301N MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
H2301N datasheet
h2301n.pdf
Spec. No. MOS200612 HI-SINCERITY Issued Date 2006.07.01 Revised Date 2006.07.11 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 H2301N Pin Assignment & Symbol H2301N 3 3-Lead Plastic SOT-23 P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-20V, -2.2A) Package Code N Pin 1 Gate 2 Source 3 Drain 2 1 Source Features Gate Drain RDS(on)
h2301.pdf
HAOHAI ELECTRONICS H2301 - 2A, -20V, P-Channel MOSFET APPLICATIONS Load switch for portable Features DC/DC converter RDS(ON) 120m @ VGS=-4.5V FEATURE RDS(ON) 170m @ VGS=-2.5V High Density Cell Design For Ultra Industry-standard pinout SOT-23 Package Low On-Resistance Compatible with Existing Surface MountTechniques
Otros transistores... H10N60E , H10N60F , H10N65E , H10N65F , H12N60E , H12N60F , H12N65E , H12N65F , AOD4184A , H2302N , H2305N , H2N7000 , H2N7002 , H2N7002K , H2N7002KSN , H2N7002SN , H3055LJ .
History: KMB012N40DA
History: KMB012N40DA
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
bc547 datasheet | k3797 mosfet | bs170 datasheet | tip41c | irfp460 | irfz44n mosfet | lm317t datasheet | irf540