H2301N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: H2301N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.95 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15.23 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3.73 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145.54 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET H2301N

H2301N Datasheet (PDF)

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h2301n.pdf

Spec. No. : MOS200612 HI-SINCERITY Issued Date : 2006.07.01 Revised Date : 2006.07.11 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 H2301N Pin Assignment & Symbol H2301N 33-Lead Plastic SOT-23 P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-20V, -2.2A) Package Code: N Pin 1: Gate 2: Source 3: Drain 21SourceFeatures GateDrain RDS(on)

9.1. Size:491K cn haohai electr
h2301.pdf

HAOHAI ELECTRONICS H2301 - 2A, -20V, P-Channel MOSFET APPLICATIONS Load switch for portable FeaturesDC/DC converterRDS(ON)120m @ VGS=-4.5V FEATURERDS(ON)170m @ VGS=-2.5VHigh Density Cell Design For UltraIndustry-standard pinout SOT-23 PackageLow On-ResistanceCompatible with Existing Surface MountTechniques

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: