Справочник MOSFET. H2301N

 

H2301N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: H2301N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.73 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 145.54 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для H2301N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H2301N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:88K  hsmc
 h2301n.pdf pdf_icon

H2301N

Spec. No. : MOS200612 HI-SINCERITY Issued Date : 2006.07.01 Revised Date : 2006.07.11 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 H2301N Pin Assignment & Symbol H2301N 33-Lead Plastic SOT-23 P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-20V, -2.2A) Package Code: N Pin 1: Gate 2: Source 3: Drain 21SourceFeatures GateDrain RDS(on)

 9.1. Size:491K  cn haohai electr
 h2301.pdf pdf_icon

H2301N

HAOHAI ELECTRONICS H2301 - 2A, -20V, P-Channel MOSFET APPLICATIONS Load switch for portable FeaturesDC/DC converterRDS(ON)120m @ VGS=-4.5V FEATURERDS(ON)170m @ VGS=-2.5VHigh Density Cell Design For UltraIndustry-standard pinout SOT-23 PackageLow On-ResistanceCompatible with Existing Surface MountTechniques

Другие MOSFET... H10N60E , H10N60F , H10N65E , H10N65F , H12N60E , H12N60F , H12N65E , H12N65F , HY1906P , H2302N , H2305N , H2N7000 , H2N7002 , H2N7002K , H2N7002KSN , H2N7002SN , H3055LJ .

History: IPZA60R037P7 | AO4419

 

 
Back to Top

 


 
.