H2301N - описание и поиск аналогов

 

H2301N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H2301N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.73 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 145.54 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для H2301N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H2301N даташит

 ..1. Size:88K  hsmc
 h2301n.pdf pdf_icon

H2301N

Spec. No. MOS200612 HI-SINCERITY Issued Date 2006.07.01 Revised Date 2006.07.11 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 H2301N Pin Assignment & Symbol H2301N 3 3-Lead Plastic SOT-23 P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-20V, -2.2A) Package Code N Pin 1 Gate 2 Source 3 Drain 2 1 Source Features Gate Drain RDS(on)

 9.1. Size:491K  cn haohai electr
 h2301.pdf pdf_icon

H2301N

HAOHAI ELECTRONICS H2301 - 2A, -20V, P-Channel MOSFET APPLICATIONS Load switch for portable Features DC/DC converter RDS(ON) 120m @ VGS=-4.5V FEATURE RDS(ON) 170m @ VGS=-2.5V High Density Cell Design For Ultra Industry-standard pinout SOT-23 Package Low On-Resistance Compatible with Existing Surface MountTechniques

Другие MOSFET... H10N60E , H10N60F , H10N65E , H10N65F , H12N60E , H12N60F , H12N65E , H12N65F , AOD4184A , H2302N , H2305N , H2N7000 , H2N7002 , H2N7002K , H2N7002KSN , H2N7002SN , H3055LJ .

History: S68N08RP | AGM4025D | FCPF190N65S3R0L | SI2318DS-T1-GE3 | S70N06RP

 

 

 

 

↑ Back to Top
.