H2302N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: H2302N  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.56 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80.56 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: SOT23

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H2302N datasheet

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H2302N

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H2302N

HAOHAI ELECTRONICS H2302 2A 20V N-Channel MOSFET APPLICATIONS Load switch for portable Features DC/DC converter RDS(ON) 60m @ VGS=4.5V FEATURE RDS(ON) 100m @ VGS=2.5V High Density Cell Design For Ultra Industry-standard pinout SOT-23 Package Low On-Resistance Compatible with Existing Surface MountTechniques

 9.2. Size:170K  cn haohai electr
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H2302N

HAOHAI ELECTRONICS H2302A 4A, 20V, N-Channel MOSFET Application Load Switch Features PWM Application RDS(ON)

Otros transistores... H10N60F, H10N65E, H10N65F, H12N60E, H12N60F, H12N65E, H12N65F, H2301N, IRF830, H2305N, H2N7000, H2N7002, H2N7002K, H2N7002KSN, H2N7002SN, H3055LJ, H3055MJ