H2302N Todos los transistores

 

H2302N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: H2302N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.56 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80.56 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET H2302N

 

Principales características: H2302N

 ..1. Size:88K  hsmc
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H2302N

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H2302N

HAOHAI ELECTRONICS H2302 2A 20V N-Channel MOSFET APPLICATIONS Load switch for portable Features DC/DC converter RDS(ON) 60m @ VGS=4.5V FEATURE RDS(ON) 100m @ VGS=2.5V High Density Cell Design For Ultra Industry-standard pinout SOT-23 Package Low On-Resistance Compatible with Existing Surface MountTechniques

 9.2. Size:170K  cn haohai electr
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H2302N

HAOHAI ELECTRONICS H2302A 4A, 20V, N-Channel MOSFET Application Load Switch Features PWM Application RDS(ON)

Otros transistores... H10N60F , H10N65E , H10N65F , H12N60E , H12N60F , H12N65E , H12N65F , H2301N , AO4407A , H2305N , H2N7000 , H2N7002 , H2N7002K , H2N7002KSN , H2N7002SN , H3055LJ , H3055MJ .

History: H5N2508DS | PDC3903Z

 

 
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