H2302N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: H2302N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 3.69 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 7.56 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80.56 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET H2302N

H2302N Datasheet (PDF)

..1. Size:88K hsmc
h2302n.pdf

Spec. No. : MOS200613 HI-SINCERITY Issued Date : 2006.07.01 Revised Date : 2006.07.12 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 H2302N Pin Assignment & Symbol H2302N 33-Lead Plastic SOT-23 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V, 2.4A) Package Code: N Pin 1: Gate 2: Source 3: Drain 21DrainFeatures GateSource RDS(on)

9.1. Size:482K cn haohai electr
h2302.pdf

HAOHAI ELECTRONICS H2302 2A 20V N-Channel MOSFET APPLICATIONS Load switch for portable FeaturesDC/DC converterRDS(ON)60m @ VGS=4.5V FEATURERDS(ON)100m @ VGS=2.5VHigh Density Cell Design For UltraIndustry-standard pinout SOT-23 PackageLow On-ResistanceCompatible with Existing Surface MountTechniques

9.2. Size:170K cn haohai electr
h2302a.pdf