Справочник MOSFET. H2302N

 

H2302N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: H2302N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.56 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80.56 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для H2302N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H2302N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:88K  hsmc
 h2302n.pdf pdf_icon

H2302N

Spec. No. : MOS200613 HI-SINCERITY Issued Date : 2006.07.01 Revised Date : 2006.07.12 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 H2302N Pin Assignment & Symbol H2302N 33-Lead Plastic SOT-23 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V, 2.4A) Package Code: N Pin 1: Gate 2: Source 3: Drain 21DrainFeatures GateSource RDS(on)

 9.1. Size:482K  cn haohai electr
 h2302.pdf pdf_icon

H2302N

HAOHAI ELECTRONICS H2302 2A 20V N-Channel MOSFET APPLICATIONS Load switch for portable FeaturesDC/DC converterRDS(ON)60m @ VGS=4.5V FEATURERDS(ON)100m @ VGS=2.5VHigh Density Cell Design For UltraIndustry-standard pinout SOT-23 PackageLow On-ResistanceCompatible with Existing Surface MountTechniques

 9.2. Size:170K  cn haohai electr
 h2302a.pdf pdf_icon

H2302N

HAOHAI ELECTRONICS H2302A 4A, 20V, N-Channel MOSFETApplicationLoad Switch FeaturesPWM ApplicationRDS(ON)

Другие MOSFET... H10N60F , H10N65E , H10N65F , H12N60E , H12N60F , H12N65E , H12N65F , H2301N , AO3407 , H2305N , H2N7000 , H2N7002 , H2N7002K , H2N7002KSN , H2N7002SN , H3055LJ , H3055MJ .

History: H2305N | IRFP1405PBF | SMC2333 | H3055MJ | SIA406DJ | AOP609

 

 
Back to Top

 


 
.