H2305N Todos los transistores

 

H2305N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: H2305N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.058 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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H2305N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  hsmc
 h2305n.pdf pdf_icon

H2305N

Spec. No. : MOS200807 HI-SINCERITY Issued Date : 2008.11.12 Revised Date :2009,12,15 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 H2305N Pin Assignment & Symbol H2305N 33-Lead Plastic SOT-23 P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-20V, -4.5A) Package Code: N Pin 1: Gate 2: Source 3: Drain2 1SourceFeatures Gate RDS(on)

 9.1. Size:302K  cet
 ceh2305.pdf pdf_icon

H2305N

CEH2305P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES-30V, -4.9A , RDS(ON) = 52m @VGS = -10V. RDS(ON) = 65m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 119m @VGS = -2.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON).D(1,2,5,6,)Rugged and reliable.Lead free product is acquired.TSOP-6 package.456G(3)321S(4)TSOP-6ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA

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History: UPA1720 | CEF30N3 | FDMS3D5N08LC | BUK9Y113-100E

 

 
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