H2305N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: H2305N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.38 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.058 Ohm
Encapsulados: SOT23
Búsqueda de reemplazo de H2305N MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
H2305N datasheet
h2305n.pdf
Spec. No. MOS200807 HI-SINCERITY Issued Date 2008.11.12 Revised Date 2009,12,15 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 H2305N Pin Assignment & Symbol H2305N 3 3-Lead Plastic SOT-23 P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-20V, -4.5A) Package Code N Pin 1 Gate 2 Source 3 Drain 2 1 Source Features Gate RDS(on)
ceh2305.pdf
CEH2305 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES -30V, -4.9A , RDS(ON) = 52m @VGS = -10V. RDS(ON) = 65m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 119m @VGS = -2.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). D(1,2,5,6,) Rugged and reliable. Lead free product is acquired. TSOP-6 package. 4 5 6 G(3) 3 2 1 S(4) TSOP-6 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA
Otros transistores... H10N65E , H10N65F , H12N60E , H12N60F , H12N65E , H12N65F , H2301N , H2302N , 60N06 , H2N7000 , H2N7002 , H2N7002K , H2N7002KSN , H2N7002SN , H3055LJ , H3055MJ , H35N03J .
History: LSH70R640GT
History: LSH70R640GT
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
bs170 datasheet | tip41c | irfp460 | irfz44n mosfet | lm317t datasheet | irf540 | bc337 | ksc1845