Справочник MOSFET. H2305N

 

H2305N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: H2305N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для H2305N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H2305N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  hsmc
 h2305n.pdf pdf_icon

H2305N

Spec. No. : MOS200807 HI-SINCERITY Issued Date : 2008.11.12 Revised Date :2009,12,15 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 H2305N Pin Assignment & Symbol H2305N 33-Lead Plastic SOT-23 P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-20V, -4.5A) Package Code: N Pin 1: Gate 2: Source 3: Drain2 1SourceFeatures Gate RDS(on)

 9.1. Size:302K  cet
 ceh2305.pdf pdf_icon

H2305N

CEH2305P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES-30V, -4.9A , RDS(ON) = 52m @VGS = -10V. RDS(ON) = 65m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 119m @VGS = -2.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON).D(1,2,5,6,)Rugged and reliable.Lead free product is acquired.TSOP-6 package.456G(3)321S(4)TSOP-6ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFP460 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top

 


 
.