H2305N - описание и поиск аналогов

 

H2305N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H2305N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для H2305N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H2305N даташит

 ..1. Size:203K  hsmc
 h2305n.pdf pdf_icon

H2305N

Spec. No. MOS200807 HI-SINCERITY Issued Date 2008.11.12 Revised Date 2009,12,15 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 H2305N Pin Assignment & Symbol H2305N 3 3-Lead Plastic SOT-23 P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-20V, -4.5A) Package Code N Pin 1 Gate 2 Source 3 Drain 2 1 Source Features Gate RDS(on)

 9.1. Size:302K  cet
 ceh2305.pdf pdf_icon

H2305N

CEH2305 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES -30V, -4.9A , RDS(ON) = 52m @VGS = -10V. RDS(ON) = 65m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 119m @VGS = -2.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). D(1,2,5,6,) Rugged and reliable. Lead free product is acquired. TSOP-6 package. 4 5 6 G(3) 3 2 1 S(4) TSOP-6 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA

Другие MOSFET... H10N65E , H10N65F , H12N60E , H12N60F , H12N65E , H12N65F , H2301N , H2302N , 60N06 , H2N7000 , H2N7002 , H2N7002K , H2N7002KSN , H2N7002SN , H3055LJ , H3055MJ , H35N03J .

History: MTE050N15BRV8 | KHB3D0N90P1 | SE630K | 2SK1708 | SMF12N65 | AGM628S | H12N60F

 

 

 

 

↑ Back to Top
.