H35N03J MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: H35N03J
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 57 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.87 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 268.43 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
- Selección de transistores por parámetros
H35N03J Datasheet (PDF)
h35n03j.pdf
Spec. No. : MOS200515HI-SINCERITYIssued Date : 2005.01.01Revised Date : 2005.10.14MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5 H35N03J Pin AssignmentH35N03JTab 3-Lead Plastic TO-252Package Code: JN-Channel Enhancement-Mode MOSFET (25V, 35A)Pin 1: Gate3 Pin 2 & Tab: Drain21Pin 3: SourceDFeaturesInternal SchematicDiagram RDS(on)=8.5m@VGS=10V, ID=30AG R
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: CSD85312Q3E | FTK5N80DD | MDU1532SURH | AP98T03GP-HF | BUK7616-55A | 2SK2749
History: CSD85312Q3E | FTK5N80DD | MDU1532SURH | AP98T03GP-HF | BUK7616-55A | 2SK2749
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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