H35N03J Todos los transistores

 

H35N03J MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: H35N03J
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 57 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.87 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 268.43 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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H35N03J Datasheet (PDF)

 ..1. Size:85K  hsmc
 h35n03j.pdf pdf_icon

H35N03J

Spec. No. : MOS200515HI-SINCERITYIssued Date : 2005.01.01Revised Date : 2005.10.14MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5 H35N03J Pin AssignmentH35N03JTab 3-Lead Plastic TO-252Package Code: JN-Channel Enhancement-Mode MOSFET (25V, 35A)Pin 1: Gate3 Pin 2 & Tab: Drain21Pin 3: SourceDFeaturesInternal SchematicDiagram RDS(on)=8.5m@VGS=10V, ID=30AG R

 9.1. Size:80K  njs
 rfh35n08 rfh35n10.pdf pdf_icon

H35N03J

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History: SI7682DP | GP2M002A060XG

 

 
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