H35N03J - описание и поиск аналогов

 

H35N03J. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H35N03J

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.87 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 268.43 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для H35N03J

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H35N03J даташит

 ..1. Size:85K  hsmc
 h35n03j.pdf pdf_icon

H35N03J

Spec. No. MOS200515 HI-SINCERITY Issued Date 2005.01.01 Revised Date 2005.10.14 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 H35N03J Pin Assignment H35N03J Tab 3-Lead Plastic TO-252 Package Code J N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (25V, 35A) Pin 1 Gate 3 Pin 2 & Tab Drain 2 1 Pin 3 Source D Features Internal Schematic Diagram RDS(on)=8.5m @VGS=10V, ID=30A G R

 9.1. Size:80K  njs
 rfh35n08 rfh35n10.pdf pdf_icon

H35N03J

Другие MOSFET... H2305N , H2N7000 , H2N7002 , H2N7002K , H2N7002KSN , H2N7002SN , H3055LJ , H3055MJ , 20N60 , H4422S , H4435S , H4946DS , H4946S , H50N03J , H6968CTS , H6968S , H8205 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.