Справочник MOSFET. H35N03J

 

H35N03J Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: H35N03J
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.87 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 268.43 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для H35N03J

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H35N03J Datasheet (PDF)

 ..1. Size:85K  hsmc
 h35n03j.pdf pdf_icon

H35N03J

Spec. No. : MOS200515HI-SINCERITYIssued Date : 2005.01.01Revised Date : 2005.10.14MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5 H35N03J Pin AssignmentH35N03JTab 3-Lead Plastic TO-252Package Code: JN-Channel Enhancement-Mode MOSFET (25V, 35A)Pin 1: Gate3 Pin 2 & Tab: Drain21Pin 3: SourceDFeaturesInternal SchematicDiagram RDS(on)=8.5m@VGS=10V, ID=30AG R

 9.1. Size:80K  njs
 rfh35n08 rfh35n10.pdf pdf_icon

H35N03J

Другие MOSFET... H2305N , H2N7000 , H2N7002 , H2N7002K , H2N7002KSN , H2N7002SN , H3055LJ , H3055MJ , 20N60 , H4422S , H4435S , H4946DS , H4946S , H50N03J , H6968CTS , H6968S , H8205 .

 

 
Back to Top

 


 
.