H35N03J - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: H35N03J
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 3.87 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 268.43 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для H35N03J
H35N03J Datasheet (PDF)
h35n03j.pdf

Spec. No. : MOS200515HI-SINCERITYIssued Date : 2005.01.01Revised Date : 2005.10.14MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5 H35N03J Pin AssignmentH35N03JTab 3-Lead Plastic TO-252Package Code: JN-Channel Enhancement-Mode MOSFET (25V, 35A)Pin 1: Gate3 Pin 2 & Tab: Drain21Pin 3: SourceDFeaturesInternal SchematicDiagram RDS(on)=8.5m@VGS=10V, ID=30AG R
Другие MOSFET... H2305N , H2N7000 , H2N7002 , H2N7002K , H2N7002KSN , H2N7002SN , H3055LJ , H3055MJ , 20N60 , H4422S , H4435S , H4946DS , H4946S , H50N03J , H6968CTS , H6968S , H8205 .
History: MTN5N50I3 | HP25N50



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLU4N65U | SLT70R180E7C | SLT65R180E7C | SLP730S | SLP65R380E7C | SLP65R1K2E7 | SLP65R180E7C | SLM160N04G | SLM150N04G | SLM120N06G | SLF8N65SV | SLF80R830GT | SLF70R380E7C | SLF70R280E7C | SLF65R600E7C | SLF65R380E7C
Popular searches
c1815 transistor | 2sc1815 | irfz44 | 2n5551 | irf540n | irf3205 mosfet | 2n3055 | irfp260n