Справочник MOSFET. H35N03J

 

H35N03J MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: H35N03J
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 18.4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3.87 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 268.43 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для H35N03J

 

 

H35N03J Datasheet (PDF)

 ..1. Size:85K  hsmc
 h35n03j.pdf

H35N03J H35N03J

Spec. No. : MOS200515HI-SINCERITYIssued Date : 2005.01.01Revised Date : 2005.10.14MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5 H35N03J Pin AssignmentH35N03JTab 3-Lead Plastic TO-252Package Code: JN-Channel Enhancement-Mode MOSFET (25V, 35A)Pin 1: Gate3 Pin 2 & Tab: Drain21Pin 3: SourceDFeaturesInternal SchematicDiagram RDS(on)=8.5m@VGS=10V, ID=30AG R

 9.1. Size:80K  njs
 rfh35n08 rfh35n10.pdf

H35N03J H35N03J

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top