H4422S Todos los transistores

 

H4422S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: H4422S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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H4422S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:173K  hsmc
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H4422S

Spec. No. : MOS200907 HI-SINCERITY Issued Date : 2009.03.09 Revised Date : MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 H4422S 8-Lead Plastic SO-8 Package Code: S N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (30V, 11A) H4422S Symbol & Pin Assignment Features 5 4Pin 1 / 2 / 3: Source 6 3Pin 4: Gate RDS(on)=13.5m@VGS=10V, ID=11A Pin 5 / 6 / 7 / 8: Drain 7 2 RDS(o

Otros transistores... H2N7000 , H2N7002 , H2N7002K , H2N7002KSN , H2N7002SN , H3055LJ , H3055MJ , H35N03J , IRF540 , H4435S , H4946DS , H4946S , H50N03J , H6968CTS , H6968S , H8205 , H8205A .

History: 2SK1212-01R | MSAFX76N07A | AUIRF1405ZL | JCS13N50FT | HM25P04D | PPMT20V4E

 

 
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