H4422S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: H4422S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 11 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0135 Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
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H4422S Datasheet (PDF)
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Spec. No. : MOS200907 HI-SINCERITY Issued Date : 2009.03.09 Revised Date : MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 H4422S 8-Lead Plastic SO-8 Package Code: S N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (30V, 11A) H4422S Symbol & Pin Assignment Features 5 4Pin 1 / 2 / 3: Source 6 3Pin 4: Gate RDS(on)=13.5m@VGS=10V, ID=11A Pin 5 / 6 / 7 / 8: Drain 7 2 RDS(o
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
