H4422S Todos los transistores

 

H4422S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: H4422S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
     - Selección de transistores por parámetros

 

H4422S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:173K  hsmc
 h4422s.pdf pdf_icon

H4422S

Spec. No. : MOS200907 HI-SINCERITY Issued Date : 2009.03.09 Revised Date : MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 H4422S 8-Lead Plastic SO-8 Package Code: S N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (30V, 11A) H4422S Symbol & Pin Assignment Features 5 4Pin 1 / 2 / 3: Source 6 3Pin 4: Gate RDS(on)=13.5m@VGS=10V, ID=11A Pin 5 / 6 / 7 / 8: Drain 7 2 RDS(o

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRFS7534TRLPBF | FQD5N15TF | IXFR80N60P3 | IXFK48N50Q | APT6025BVR | 2N7064 | SI1012

 

 
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