H4422S - описание и поиск аналогов

 

H4422S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H4422S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для H4422S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H4422S даташит

 ..1. Size:173K  hsmc
 h4422s.pdf pdf_icon

H4422S

Spec. No. MOS200907 HI-SINCERITY Issued Date 2009.03.09 Revised Date MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 H4422S 8-Lead Plastic SO-8 Package Code S N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (30V, 11A) H4422S Symbol & Pin Assignment Features 5 4 Pin 1 / 2 / 3 Source 6 3 Pin 4 Gate RDS(on)=13.5m @VGS=10V, ID=11A Pin 5 / 6 / 7 / 8 Drain 7 2 RDS(o

Другие MOSFET... H2N7000 , H2N7002 , H2N7002K , H2N7002KSN , H2N7002SN , H3055LJ , H3055MJ , H35N03J , IRF540N , H4435S , H4946DS , H4946S , H50N03J , H6968CTS , H6968S , H8205 , H8205A .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.