Справочник MOSFET. H4422S

 

H4422S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: H4422S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

H4422S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:173K  hsmc
 h4422s.pdf pdf_icon

H4422S

Spec. No. : MOS200907 HI-SINCERITY Issued Date : 2009.03.09 Revised Date : MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 H4422S 8-Lead Plastic SO-8 Package Code: S N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (30V, 11A) H4422S Symbol & Pin Assignment Features 5 4Pin 1 / 2 / 3: Source 6 3Pin 4: Gate RDS(on)=13.5m@VGS=10V, ID=11A Pin 5 / 6 / 7 / 8: Drain 7 2 RDS(o

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IRHN7450SE | APT20M16LFLL | IPB80N06S2-07 | IRFZ48NLPBF | CPC5603C | KX12N65F | APM2324AA

 

 
Back to Top

 


 
.