H4435S Todos los transistores

 

H4435S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: H4435S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2.5 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 9.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 7 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 205 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.035 Ohm

Empaquetado / Estuche: SO8

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H4435S Datasheet (PDF)

1.1. h4435s.pdf Size:180K _hsmc

H4435S
H4435S

Spec. No. : MOS200101) HI-SINCERITY Issued Date : 2008.01.12 Revised Date :2009.02.06 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 H4435S 8-Lead Plastic SO-8 • Package Code: S P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-30V, -9.1A) H4435S Symbol & Pin Assignment Features 5 4 Pin 1 / 2 / 3: Source 6 3 Pin 4: Gate 7 2 • RDS(on)=20m?@VGS=-10V, ID=-9.1A Pin 5 / 6 / 7 / 8: Drain

Otros transistores... IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , J111 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 .

 

 
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