H4435S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: H4435S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 205 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET H4435S

H4435S Datasheet (PDF)

..1. Size:180K hsmc
h4435s.pdf

Spec. No. : MOS200101) HI-SINCERITY Issued Date : 2008.01.12 Revised Date :2009.02.06 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 H4435S 8-Lead Plastic SO-8 Package Code: S P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-30V, -9.1A) H4435S Symbol & Pin Assignment Features 5 4Pin 1 / 2 / 3: Source 6 3Pin 4: Gate 7 2 RDS(on)=20m@VGS=-10V, ID=-9.1A Pin 5 / 6 / 7 / 8: Dr

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: