H4435S Todos los transistores

 

H4435S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: H4435S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 205 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

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Principales características: H4435S

 ..1. Size:180K  hsmc
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H4435S

Spec. No. MOS200101) HI-SINCERITY Issued Date 2008.01.12 Revised Date 2009.02.06 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 H4435S 8-Lead Plastic SO-8 Package Code S P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-30V, -9.1A) H4435S Symbol & Pin Assignment Features 5 4 Pin 1 / 2 / 3 Source 6 3 Pin 4 Gate 7 2 RDS(on)=20m @VGS=-10V, ID=-9.1A Pin 5 / 6 / 7 / 8 Dr

Otros transistores... H2N7002 , H2N7002K , H2N7002KSN , H2N7002SN , H3055LJ , H3055MJ , H35N03J , H4422S , IRF540 , H4946DS , H4946S , H50N03J , H6968CTS , H6968S , H8205 , H8205A , H9435S .

History: AP10N9R0I | SSH40N15A | SSD2504S | SSG4407P | ATM8205DNSG

 

 
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