Справочник MOSFET. H4435S

 

H4435S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: H4435S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 205 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для H4435S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H4435S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  hsmc
 h4435s.pdf pdf_icon

H4435S

Spec. No. : MOS200101) HI-SINCERITY Issued Date : 2008.01.12 Revised Date :2009.02.06 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 H4435S 8-Lead Plastic SO-8 Package Code: S P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-30V, -9.1A) H4435S Symbol & Pin Assignment Features 5 4Pin 1 / 2 / 3: Source 6 3Pin 4: Gate 7 2 RDS(on)=20m@VGS=-10V, ID=-9.1A Pin 5 / 6 / 7 / 8: Dr

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.