Справочник MOSFET. H4435S

 

H4435S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: H4435S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 205 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

H4435S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  hsmc
 h4435s.pdf pdf_icon

H4435S

Spec. No. : MOS200101) HI-SINCERITY Issued Date : 2008.01.12 Revised Date :2009.02.06 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 H4435S 8-Lead Plastic SO-8 Package Code: S P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-30V, -9.1A) H4435S Symbol & Pin Assignment Features 5 4Pin 1 / 2 / 3: Source 6 3Pin 4: Gate 7 2 RDS(on)=20m@VGS=-10V, ID=-9.1A Pin 5 / 6 / 7 / 8: Dr

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRLI640GPBF | HSU4006

 

 
Back to Top

 


 
.