H4435S - описание и поиск аналогов

 

H4435S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H4435S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 205 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для H4435S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H4435S даташит

 ..1. Size:180K  hsmc
 h4435s.pdf pdf_icon

H4435S

Spec. No. MOS200101) HI-SINCERITY Issued Date 2008.01.12 Revised Date 2009.02.06 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 H4435S 8-Lead Plastic SO-8 Package Code S P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-30V, -9.1A) H4435S Symbol & Pin Assignment Features 5 4 Pin 1 / 2 / 3 Source 6 3 Pin 4 Gate 7 2 RDS(on)=20m @VGS=-10V, ID=-9.1A Pin 5 / 6 / 7 / 8 Dr

Другие MOSFET... H2N7002 , H2N7002K , H2N7002KSN , H2N7002SN , H3055LJ , H3055MJ , H35N03J , H4422S , IRF540 , H4946DS , H4946S , H50N03J , H6968CTS , H6968S , H8205 , H8205A , H9435S .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.