H50N03J Todos los transistores

 

H50N03J MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: H50N03J

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330.55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: TO252

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H50N03J datasheet

 ..1. Size:61K  hsmc
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H50N03J

Spec. No. MOS200514 HI-SINCERITY Issued Date 2005.01.01 Revised Date 2005.10.14 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 H50N03J Pin Assignment H50N03J Tab 3-Lead Plastic TO-252 Package Code J N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (25V, 50A) Pin 1 Gate 3 Pin 2 & Tab Drain 2 1 Pin 3 Source D Features Internal Schematic Diagram RDS(on)=6m @VGS=10V, ID=30A G RDS

 9.1. Size:1704K  cn wxdh
 dh50n06fzc dhf50n06fzc dhi50n06fzc dhe50n06fzc dhb50n06fzc dhd50n06fzc.pdf pdf_icon

H50N03J

Otros transistores... H2N7002SN , H3055LJ , H3055MJ , H35N03J , H4422S , H4435S , H4946DS , H4946S , IRFZ44 , H6968CTS , H6968S , H8205 , H8205A , H9435S , H9926S , H9926TS , HIRF630 .

History: SI2318DS-T1-GE3 | MPG120N06P | FCPF190N65S3R0L | S70N06RP | AGM4025D

 

 

 

 

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