H50N03J MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: H50N03J
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330.55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET H50N03J

H50N03J Datasheet (PDF)

..1. Size:61K hsmc
h50n03j.pdf

Spec. No. : MOS200514HI-SINCERITYIssued Date : 2005.01.01Revised Date : 2005.10.14MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5 H50N03J Pin AssignmentH50N03JTab 3-Lead Plastic TO-252Package Code: JN-Channel Enhancement-Mode MOSFET (25V, 50A)Pin 1: Gate3 Pin 2 & Tab: Drain21Pin 3: SourceDFeaturesInternal SchematicDiagram RDS(on)=6m@VGS=10V, ID=30AG RDS

Otros transistores... H2N7002SN , H3055LJ , H3055MJ , H35N03J , H4422S , H4435S , H4946DS , H4946S , IRF540N , H6968CTS , H6968S , H8205 , H8205A , H9435S , H9926S , H9926TS , HIRF630 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: