H50N03J. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: H50N03J
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 330.55 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для H50N03J
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
H50N03J даташит
h50n03j.pdf
Spec. No. MOS200514 HI-SINCERITY Issued Date 2005.01.01 Revised Date 2005.10.14 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 H50N03J Pin Assignment H50N03J Tab 3-Lead Plastic TO-252 Package Code J N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (25V, 50A) Pin 1 Gate 3 Pin 2 & Tab Drain 2 1 Pin 3 Source D Features Internal Schematic Diagram RDS(on)=6m @VGS=10V, ID=30A G RDS
Другие MOSFET... H2N7002SN , H3055LJ , H3055MJ , H35N03J , H4422S , H4435S , H4946DS , H4946S , IRFZ44 , H6968CTS , H6968S , H8205 , H8205A , H9435S , H9926S , H9926TS , HIRF630 .
History: H9435S | MTB028N10QNCQ8 | H10N60F | SVT068R5NT | IRLML5203PBF | 2SK3915-01MR | ME4454
History: H9435S | MTB028N10QNCQ8 | H10N60F | SVT068R5NT | IRLML5203PBF | 2SK3915-01MR | ME4454
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
irf3205 mosfet | 2n3055 | irfp260n | 2n2222 datasheet | irf9540 | 2n3055 datasheet | 2sc945 | irfp250n