Справочник MOSFET. H50N03J

 

H50N03J Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: H50N03J
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330.55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для H50N03J

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H50N03J Datasheet (PDF)

 ..1. Size:61K  hsmc
 h50n03j.pdf pdf_icon

H50N03J

Spec. No. : MOS200514HI-SINCERITYIssued Date : 2005.01.01Revised Date : 2005.10.14MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5 H50N03J Pin AssignmentH50N03JTab 3-Lead Plastic TO-252Package Code: JN-Channel Enhancement-Mode MOSFET (25V, 50A)Pin 1: Gate3 Pin 2 & Tab: Drain21Pin 3: SourceDFeaturesInternal SchematicDiagram RDS(on)=6m@VGS=10V, ID=30AG RDS

 9.1. Size:1704K  cn wxdh
 dh50n06fzc dhf50n06fzc dhi50n06fzc dhe50n06fzc dhb50n06fzc dhd50n06fzc.pdf pdf_icon

H50N03J

DH50N06FZC/DHF50N06FZC/DHI50N06FZC/DHE50N06FZC/DHB50N06FZC/DHD50N06FZC50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel Enhanced VDMOSFETs Used2 DVDSS = 60Vadvanced trench technology design, provided excellentRDSON and low gate charge. Which accords with theRDS = 18m(on) (TYP)GRoHS standard.1ID = 50A3 S2 Features Fast Switching

Другие MOSFET... H2N7002SN , H3055LJ , H3055MJ , H35N03J , H4422S , H4435S , H4946DS , H4946S , IRFZ44 , H6968CTS , H6968S , H8205 , H8205A , H9435S , H9926S , H9926TS , HIRF630 .

History: HFS2N90 | TPCA8A09-H | IPD50N06S4-09 | TF68N80 | DMG3413L | IPB083N10N3G | STL9N60M2

 

 
Back to Top

 


 
.