H6968CTS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: H6968CTS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65.1 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
Encapsulados: TSSOP8
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H6968CTS datasheet
h6968cts.pdf
Spec. No. MOS200610 HI-SINCERITY Issued Date 2006.06.01 Revised Date 2006.02.25 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 H6968CTS 8-Lead Plastic TSSOP-8 Package Code TS Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V, 7.0A) (Battery Switch, ESD Protected) H6968CTS Symbol & Pin Assignment 8 7 6 5 Pin 1 Drain Q2 Pin 2 / 3 Source 1 Features Pin 4 Gate 1 Q1 Pin
h6968s.pdf
Spec. No. MOS200510 HI-SINCERITY Issued Date 2005.10.01 Revised Date 2005.10.06 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 H6968S / H6968CS 8-Lead Plastic SO-8 Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V, 6.5A) Package Code S (Battery Switch, ESD Protected) Features RDS(on)=32m @VGS=2.5V, ID=5.5A RDS(on)=24m @VGS=4.5V, ID=6.5A Advanced Trench Process Technol
Otros transistores... H3055LJ , H3055MJ , H35N03J , H4422S , H4435S , H4946DS , H4946S , H50N03J , IRF640 , H6968S , H8205 , H8205A , H9435S , H9926S , H9926TS , HIRF630 , HIRF630F .
History: STD8NM60N
History: STD8NM60N
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