H6968CTS Todos los transistores

 

H6968CTS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: H6968CTS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65.1 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP8
 

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H6968CTS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:92K  hsmc
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H6968CTS

Spec. No. : MOS200610 HI-SINCERITY Issued Date : 2006.06.01 Revised Date : 2006.02.25 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 H6968CTS 8-Lead Plastic TSSOP-8 Package Code: TS Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V, 7.0A) (Battery Switch, ESD Protected) H6968CTS Symbol & Pin Assignment 8 7 6 5Pin 1: Drain Q2 Pin 2 / 3: Source 1 Features Pin 4: Gate 1 Q1Pin

 9.1. Size:44K  hsmc
 h6968s.pdf pdf_icon

H6968CTS

Spec. No. : MOS200510HI-SINCERITYIssued Date : 2005.10.01Revised Date : 2005.10.06MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4H6968S / H6968CS8-Lead Plastic SO-8Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V, 6.5A)Package Code: S(Battery Switch, ESD Protected)Features RDS(on)=32m@VGS=2.5V, ID=5.5A RDS(on)=24m@VGS=4.5V, ID=6.5A Advanced Trench Process Technol

Otros transistores... H3055LJ , H3055MJ , H35N03J , H4422S , H4435S , H4946DS , H4946S , H50N03J , IRFP460 , H6968S , H8205 , H8205A , H9435S , H9926S , H9926TS , HIRF630 , HIRF630F .

History: APT56F50L | IXFT74N20 | QM3303S | RJK0632JPD

 

 
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