H6968CTS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: H6968CTS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.6 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65.1 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET H6968CTS

H6968CTS Datasheet (PDF)

..1. Size:92K hsmc
h6968cts.pdf

Spec. No. : MOS200610 HI-SINCERITY Issued Date : 2006.06.01 Revised Date : 2006.02.25 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 H6968CTS 8-Lead Plastic TSSOP-8 Package Code: TS Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V, 7.0A) (Battery Switch, ESD Protected) H6968CTS Symbol & Pin Assignment 8 7 6 5Pin 1: Drain Q2 Pin 2 / 3: Source 1 Features Pin 4: Gate 1 Q1Pin

9.1. Size:44K hsmc
h6968s.pdf

Spec. No. : MOS200510HI-SINCERITYIssued Date : 2005.10.01Revised Date : 2005.10.06MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4H6968S / H6968CS8-Lead Plastic SO-8Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V, 6.5A)Package Code: S(Battery Switch, ESD Protected)Features RDS(on)=32m@VGS=2.5V, ID=5.5A RDS(on)=24m@VGS=4.5V, ID=6.5A Advanced Trench Process Technol

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: