H6968CTS - описание и поиск аналогов

 

H6968CTS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H6968CTS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65.1 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm

Тип корпуса: TSSOP8

Аналог (замена) для H6968CTS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H6968CTS даташит

 ..1. Size:92K  hsmc
 h6968cts.pdf pdf_icon

H6968CTS

Spec. No. MOS200610 HI-SINCERITY Issued Date 2006.06.01 Revised Date 2006.02.25 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 H6968CTS 8-Lead Plastic TSSOP-8 Package Code TS Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V, 7.0A) (Battery Switch, ESD Protected) H6968CTS Symbol & Pin Assignment 8 7 6 5 Pin 1 Drain Q2 Pin 2 / 3 Source 1 Features Pin 4 Gate 1 Q1 Pin

 9.1. Size:44K  hsmc
 h6968s.pdf pdf_icon

H6968CTS

Spec. No. MOS200510 HI-SINCERITY Issued Date 2005.10.01 Revised Date 2005.10.06 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 H6968S / H6968CS 8-Lead Plastic SO-8 Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V, 6.5A) Package Code S (Battery Switch, ESD Protected) Features RDS(on)=32m @VGS=2.5V, ID=5.5A RDS(on)=24m @VGS=4.5V, ID=6.5A Advanced Trench Process Technol

Другие MOSFET... H3055LJ , H3055MJ , H35N03J , H4422S , H4435S , H4946DS , H4946S , H50N03J , IRF640 , H6968S , H8205 , H8205A , H9435S , H9926S , H9926TS , HIRF630 , HIRF630F .

History: VB264K

 

 

 

 

↑ Back to Top
.