Справочник MOSFET. H6968CTS

 

H6968CTS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: H6968CTS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65.1 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8
 

 Аналог (замена) для H6968CTS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H6968CTS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:92K  hsmc
 h6968cts.pdf pdf_icon

H6968CTS

Spec. No. : MOS200610 HI-SINCERITY Issued Date : 2006.06.01 Revised Date : 2006.02.25 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 H6968CTS 8-Lead Plastic TSSOP-8 Package Code: TS Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V, 7.0A) (Battery Switch, ESD Protected) H6968CTS Symbol & Pin Assignment 8 7 6 5Pin 1: Drain Q2 Pin 2 / 3: Source 1 Features Pin 4: Gate 1 Q1Pin

 9.1. Size:44K  hsmc
 h6968s.pdf pdf_icon

H6968CTS

Spec. No. : MOS200510HI-SINCERITYIssued Date : 2005.10.01Revised Date : 2005.10.06MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4H6968S / H6968CS8-Lead Plastic SO-8Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V, 6.5A)Package Code: S(Battery Switch, ESD Protected)Features RDS(on)=32m@VGS=2.5V, ID=5.5A RDS(on)=24m@VGS=4.5V, ID=6.5A Advanced Trench Process Technol

Другие MOSFET... H3055LJ , H3055MJ , H35N03J , H4422S , H4435S , H4946DS , H4946S , H50N03J , IRFP460 , H6968S , H8205 , H8205A , H9435S , H9926S , H9926TS , HIRF630 , HIRF630F .

History: FTK40P04D | OSG60R022HT3ZF | 2SK2793 | BF1208D | CJAC10TH10 | TPM8205ATS6 | IRFI840GLCPBF

 

 
Back to Top

 


 
.