Справочник MOSFET. H6968CTS

 

H6968CTS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: H6968CTS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65.1 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

H6968CTS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:92K  hsmc
 h6968cts.pdf pdf_icon

H6968CTS

Spec. No. : MOS200610 HI-SINCERITY Issued Date : 2006.06.01 Revised Date : 2006.02.25 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 H6968CTS 8-Lead Plastic TSSOP-8 Package Code: TS Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V, 7.0A) (Battery Switch, ESD Protected) H6968CTS Symbol & Pin Assignment 8 7 6 5Pin 1: Drain Q2 Pin 2 / 3: Source 1 Features Pin 4: Gate 1 Q1Pin

 9.1. Size:44K  hsmc
 h6968s.pdf pdf_icon

H6968CTS

Spec. No. : MOS200510HI-SINCERITYIssued Date : 2005.10.01Revised Date : 2005.10.06MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4H6968S / H6968CS8-Lead Plastic SO-8Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V, 6.5A)Package Code: S(Battery Switch, ESD Protected)Features RDS(on)=32m@VGS=2.5V, ID=5.5A RDS(on)=24m@VGS=4.5V, ID=6.5A Advanced Trench Process Technol

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: R5005CNX | STB10NK60ZT4 | SSF65R420S2 | BUK455-100B | SI7413DN | FDG6320C | NCEAP016N10LL

 

 
Back to Top

 


 
.