H9926S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: H9926S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.86 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9.95 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 106 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET H9926S

H9926S Datasheet (PDF)

..1. Size:42K hsmc
h9926s.pdf

Spec. No. : MOS200508HI-SINCERITYIssued Date : 2005.08.01Revised Date : 2005.10.06MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4876H9926S / H9926CS58-Lead Plastic SO-81Package Code: SDual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V, 6A)234H9926S Symbol & Pin AssignmentDescriptionPin 1: Source 25 4Pin 2: Gate 26 3This N-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugge

9.1. Size:42K hsmc
h9926ts.pdf

Spec. No. : MOS200513HI-SINCERITYIssued Date : 2005.10.01Revised Date : 2005.10.06MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4H9926TS / H9926CTS8-Lead Plastic TSSOP-8LDual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V, 6A)Package Code: TSH9926TS Symbol & Pin AssignmentDescription8 7 6 5Pin 1: Drain 1Q2 Pin 2 / 3: Source 1This N-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged gate versi

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: