H9926S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: H9926S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9.95 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 106 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для H9926S
H9926S Datasheet (PDF)
h9926s.pdf
Spec. No. : MOS200508HI-SINCERITYIssued Date : 2005.08.01Revised Date : 2005.10.06MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4876H9926S / H9926CS58-Lead Plastic SO-81Package Code: SDual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V, 6A)234H9926S Symbol & Pin AssignmentDescriptionPin 1: Source 25 4Pin 2: Gate 26 3This N-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugge
h9926ts.pdf
Spec. No. : MOS200513HI-SINCERITYIssued Date : 2005.10.01Revised Date : 2005.10.06MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4H9926TS / H9926CTS8-Lead Plastic TSSOP-8LDual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V, 6A)Package Code: TSH9926TS Symbol & Pin AssignmentDescription8 7 6 5Pin 1: Drain 1Q2 Pin 2 / 3: Source 1This N-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged gate versi
Другие MOSFET... H4946DS , H4946S , H50N03J , H6968CTS , H6968S , H8205 , H8205A , H9435S , IRFP260N , H9926TS , HIRF630 , HIRF630F , HIRF730 , HIRF730F , HIRF740 , HIRF740F , HIRF830 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
2sc945 | irfp250n | irf9540n | bd139 datasheet | irf9640 | 2n3053 | a1015 | mpsa42



