HIRF630 Todos los transistores

 

HIRF630 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HIRF630
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

 Búsqueda de reemplazo de HIRF630 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HIRF630 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:75K  hsmc
 hirf630.pdf pdf_icon

HIRF630

Spec. No. : MOS200401HI-SINCERITYIssued Date : 2004.04.01Revised Date : 2005.04.22MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/6HIRF630 Series Pin AssignmentHIRF630 / HIRF630FTabN-CHANNEL POWER MOSFET3-Lead Plastic TO-220ABPackage Code: EPin 1: GatePin 2 & Tab: DrainDescriptionPin 3: SourceThis power MOSFET is designed for low voltage, high speed powerswitching applicati

Otros transistores... H50N03J , H6968CTS , H6968S , H8205 , H8205A , H9435S , H9926S , H9926TS , IRF3710 , HIRF630F , HIRF730 , HIRF730F , HIRF740 , HIRF740F , HIRF830 , HIRF830F , HIRF840 .

History: SE8810 | 4N60L-TND-R | WMK80R480S | BSS123L6433 | BSC360N15NS3G | SE630K | SWD19N10

 

 
Back to Top

 


 
.