HIRF630 Todos los transistores

 

HIRF630 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HIRF630

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm

Encapsulados: TO220AB

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HIRF630 datasheet

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HIRF630

Spec. No. MOS200401 HI-SINCERITY Issued Date 2004.04.01 Revised Date 2005.04.22 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/6 HIRF630 Series Pin Assignment HIRF630 / HIRF630F Tab N-CHANNEL POWER MOSFET 3-Lead Plastic TO-220AB Package Code E Pin 1 Gate Pin 2 & Tab Drain Description Pin 3 Source This power MOSFET is designed for low voltage, high speed power switching applicati

Otros transistores... H50N03J , H6968CTS , H6968S , H8205 , H8205A , H9435S , H9926S , H9926TS , IRFB4227 , HIRF630F , HIRF730 , HIRF730F , HIRF740 , HIRF740F , HIRF830 , HIRF830F , HIRF840 .

History: 2SK3338W | 2SK2607 | VSO025C03MC | KHB3D0N90F2 | P0260EI | SL90N20P | IPI076N15N5

 

 

 

 

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