Справочник MOSFET. HIRF630

 

HIRF630 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HIRF630
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для HIRF630

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HIRF630 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:75K  hsmc
 hirf630.pdf pdf_icon

HIRF630

Spec. No. : MOS200401HI-SINCERITYIssued Date : 2004.04.01Revised Date : 2005.04.22MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/6HIRF630 Series Pin AssignmentHIRF630 / HIRF630FTabN-CHANNEL POWER MOSFET3-Lead Plastic TO-220ABPackage Code: EPin 1: GatePin 2 & Tab: DrainDescriptionPin 3: SourceThis power MOSFET is designed for low voltage, high speed powerswitching applicati

Другие MOSFET... H50N03J , H6968CTS , H6968S , H8205 , H8205A , H9435S , H9926S , H9926TS , AON6414A , HIRF630F , HIRF730 , HIRF730F , HIRF740 , HIRF740F , HIRF830 , HIRF830F , HIRF840 .

History: STB11NM60FD | PSMN017-30EL | XN0NE92 | STP12N50M2 | 2P979A | STB11NM80T4 | NCEP85T15

 

 
Back to Top

 


 
.