HIRF630F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HIRF630F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
Encapsulados: TO220FP
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HIRF630F datasheet
hirf630.pdf
Spec. No. MOS200401 HI-SINCERITY Issued Date 2004.04.01 Revised Date 2005.04.22 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/6 HIRF630 Series Pin Assignment HIRF630 / HIRF630F Tab N-CHANNEL POWER MOSFET 3-Lead Plastic TO-220AB Package Code E Pin 1 Gate Pin 2 & Tab Drain Description Pin 3 Source This power MOSFET is designed for low voltage, high speed power switching applicati
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