HIRF630F - аналоги и даташиты транзистора

 

HIRF630F - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HIRF630F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220FP
 

 Аналог (замена) для HIRF630F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HIRF630F Datasheet (PDF)

 7.1. Size:75K  hsmc
 hirf630.pdf pdf_icon

HIRF630F

Spec. No. : MOS200401HI-SINCERITYIssued Date : 2004.04.01Revised Date : 2005.04.22MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/6HIRF630 Series Pin AssignmentHIRF630 / HIRF630FTabN-CHANNEL POWER MOSFET3-Lead Plastic TO-220ABPackage Code: EPin 1: GatePin 2 & Tab: DrainDescriptionPin 3: SourceThis power MOSFET is designed for low voltage, high speed powerswitching applicati

Другие MOSFET... H6968CTS , H6968S , H8205 , H8205A , H9435S , H9926S , H9926TS , HIRF630 , P55NF06 , HIRF730 , HIRF730F , HIRF740 , HIRF740F , HIRF830 , HIRF830F , HIRF840 , HIRF840F .

History: FCMT180N65S3 | VS3638GA | SM1105NSUB | 2SJ273 | FCP600N65S3R0 | IPB025N08N3G | BLS6G2933P-200

 

 
Back to Top

 


 
.