HIRF630F - описание и поиск аналогов

 

HIRF630F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HIRF630F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO220FP

Аналог (замена) для HIRF630F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HIRF630F даташит

 7.1. Size:75K  hsmc
 hirf630.pdf pdf_icon

HIRF630F

Spec. No. MOS200401 HI-SINCERITY Issued Date 2004.04.01 Revised Date 2005.04.22 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/6 HIRF630 Series Pin Assignment HIRF630 / HIRF630F Tab N-CHANNEL POWER MOSFET 3-Lead Plastic TO-220AB Package Code E Pin 1 Gate Pin 2 & Tab Drain Description Pin 3 Source This power MOSFET is designed for low voltage, high speed power switching applicati

Другие MOSFET... H6968CTS , H6968S , H8205 , H8205A , H9435S , H9926S , H9926TS , HIRF630 , IRF3710 , HIRF730 , HIRF730F , HIRF740 , HIRF740F , HIRF830 , HIRF830F , HIRF840 , HIRF840F .

History: OSG65R380DEF | APM7336K | HIRF730 | R5011ANX | 2SJ177 | CM18N20 | IXFC26N50

 

 

 

 

↑ Back to Top
.