HIRF730 Todos los transistores

 

HIRF730 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HIRF730
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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HIRF730 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:46K  hsmc
 hirf730.pdf pdf_icon

HIRF730

Spec. No. : MOS200406HI-SINCERITYIssued Date : 2004.10.01Revised Date : 2005.04.22MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HIRF730 Series Pin AssignmentHIRF730 / HIRF730FTabN-CHANNEL POWER MOSFET3-Lead Plastic TO-220ABPackage Code: EPin 1: GatePin 2 & Tab: DrainDescriptionPin 3: SourceThird Generation HEXFETs from international Rectifier provide thedesigner with the

 9.1. Size:48K  hsmc
 hirf740.pdf pdf_icon

HIRF730

Spec. No. : MOS200512HI-SINCERITYIssued Date : 2005.09.01Revised Date : 2005.09.22MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HIRF740 Series Pin AssignmentHIRF740 / HIRF740FTabN-Channel Power MOSFET (400V, 10A)3-Lead Plastic TO-220ABPackage Code: EPin 1: GatePin 2 & Tab: DrainDescriptionPin 3: SourceThis N-Channel MOSFETs provide the designer with the best combinationo

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