HIRF730 Todos los transistores

 

HIRF730 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HIRF730
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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HIRF730 datasheet

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HIRF730

Spec. No. MOS200406 HI-SINCERITY Issued Date 2004.10.01 Revised Date 2005.04.22 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HIRF730 Series Pin Assignment HIRF730 / HIRF730F Tab N-CHANNEL POWER MOSFET 3-Lead Plastic TO-220AB Package Code E Pin 1 Gate Pin 2 & Tab Drain Description Pin 3 Source Third Generation HEXFETs from international Rectifier provide the designer with the

 9.1. Size:48K  hsmc
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HIRF730

Spec. No. MOS200512 HI-SINCERITY Issued Date 2005.09.01 Revised Date 2005.09.22 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HIRF740 Series Pin Assignment HIRF740 / HIRF740F Tab N-Channel Power MOSFET (400V, 10A) 3-Lead Plastic TO-220AB Package Code E Pin 1 Gate Pin 2 & Tab Drain Description Pin 3 Source This N-Channel MOSFETs provide the designer with the best combination o

Otros transistores... H6968S , H8205 , H8205A , H9435S , H9926S , H9926TS , HIRF630 , HIRF630F , 10N60 , HIRF730F , HIRF740 , HIRF740F , HIRF830 , HIRF830F , HIRF840 , HIRF840F , BUZ11S2 .

 

 
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