HIRF730 - описание и поиск аналогов

 

HIRF730. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HIRF730

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для HIRF730

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HIRF730 даташит

 ..1. Size:46K  hsmc
 hirf730.pdf pdf_icon

HIRF730

Spec. No. MOS200406 HI-SINCERITY Issued Date 2004.10.01 Revised Date 2005.04.22 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HIRF730 Series Pin Assignment HIRF730 / HIRF730F Tab N-CHANNEL POWER MOSFET 3-Lead Plastic TO-220AB Package Code E Pin 1 Gate Pin 2 & Tab Drain Description Pin 3 Source Third Generation HEXFETs from international Rectifier provide the designer with the

 9.1. Size:48K  hsmc
 hirf740.pdf pdf_icon

HIRF730

Spec. No. MOS200512 HI-SINCERITY Issued Date 2005.09.01 Revised Date 2005.09.22 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HIRF740 Series Pin Assignment HIRF740 / HIRF740F Tab N-Channel Power MOSFET (400V, 10A) 3-Lead Plastic TO-220AB Package Code E Pin 1 Gate Pin 2 & Tab Drain Description Pin 3 Source This N-Channel MOSFETs provide the designer with the best combination o

Другие MOSFET... H6968S , H8205 , H8205A , H9435S , H9926S , H9926TS , HIRF630 , HIRF630F , 10N60 , HIRF730F , HIRF740 , HIRF740F , HIRF830 , HIRF830F , HIRF840 , HIRF840F , BUZ11S2 .

History: APM7336K | OSG70R750DF | R5011ANX

 

 

 

 

↑ Back to Top
.