HIRF730 - аналоги и даташиты транзистора

 

HIRF730 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HIRF730
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для HIRF730

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HIRF730 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:46K  hsmc
 hirf730.pdf pdf_icon

HIRF730

Spec. No. : MOS200406HI-SINCERITYIssued Date : 2004.10.01Revised Date : 2005.04.22MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HIRF730 Series Pin AssignmentHIRF730 / HIRF730FTabN-CHANNEL POWER MOSFET3-Lead Plastic TO-220ABPackage Code: EPin 1: GatePin 2 & Tab: DrainDescriptionPin 3: SourceThird Generation HEXFETs from international Rectifier provide thedesigner with the

 9.1. Size:48K  hsmc
 hirf740.pdf pdf_icon

HIRF730

Spec. No. : MOS200512HI-SINCERITYIssued Date : 2005.09.01Revised Date : 2005.09.22MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HIRF740 Series Pin AssignmentHIRF740 / HIRF740FTabN-Channel Power MOSFET (400V, 10A)3-Lead Plastic TO-220ABPackage Code: EPin 1: GatePin 2 & Tab: DrainDescriptionPin 3: SourceThis N-Channel MOSFETs provide the designer with the best combinationo

Другие MOSFET... H6968S , H8205 , H8205A , H9435S , H9926S , H9926TS , HIRF630 , HIRF630F , 7N65 , HIRF730F , HIRF740 , HIRF740F , HIRF830 , HIRF830F , HIRF840 , HIRF840F , BUZ11S2 .

History: WMO18N50C4 | JMSH0606PGDQ | AOSX32128 | AO3401MI-MS | BSB053N03LPG | WMJ36N60C4 | AONP38324

 

 
Back to Top

 


 
.